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0. 指令集

1.基本介绍

SPI兼容串行总线接口。
108 MHz（最大）时钟频率。
推荐工作电压：1.8 V。单电源电压1.7 V至2 V。
支持传统SPI协议，Quad I/O或Dual I/O SPI协议。
四路/双路I/O指令导致等效时钟频率高达432 MHz。
XIP模式（“eXecute in Place”就地执行）的三种协议。可通过易失性或非易失性寄存器进行配置（使存储器在通电后直接以XiP模式工作）
编程/擦除暂停指令。
通过单个指令连续读取整个内存。
（1）快速读取
（2）四输出或双输出快速读取
（3）四路或双路I/O快速读取
灵活适应应用。
（1）虚拟循环的可配置数量
（2）输出缓冲区可配置
（3）快速POR指令：加快通电阶段
（4）根据客户要求提供重置功能。
64字节用户可锁定、一次性可编程（OTP）区域。
擦除功能。
（1）8个boot扇区（底部或顶部）中的子扇区（4 KB）粒度（最小擦除单位）
（2）扇区（64 KB）粒度（最小擦除单位）。
写入保护
（1）软件写入保护适用于每64 KB扇区（易失性锁定位）
（2）硬件写入保护：由五个非易失性位（BP0、BP1、BP2、BP3和TB位）定义的保护区域大小
（3）根据客户要求提供额外的智能保护
深度断电模式：5µA（典型情况）。
电子签名
（1）JEDEC标准双字节签名（BB18h）
（2）额外2个扩展设备ID（EDID）字节，用于标识设备出厂选项
（3）唯一ID代码（UID），只读14字节，可根据客户要求提供
每个扇区100000多个编程/擦除周期
数据保留期超过20年

2. 使用介绍

2.1 引脚情况

一般四接线SPI，会使用到CS，CLK，MOSI，MISO。
写保护引脚。
保持引脚。

2.2 SPI模式

SPI使用的模式是：
（1）模式0：CPOL=0, CPHA=0
（2）模式3：CPOL=1, CPHA=1

2.3 FLASH操作指令

2.3.1 读取Read

READ, Fast Read, Dual Output Fast Read, Dual Input Output Fast Read, Quad Output Fast Read and Quad Input Output Fast read

2.3.2 页的烧写Page Programming

（1）如果要烧写一个数据字节，需要用到另个指令，即写使能WREN和页编写PP。
（2）页编写PP指令，一次可以烧录256个字节。

2.3.3 子扇区擦除、扇区擦除和批量擦除

2.3.4 读写状态寄存器

Read Status Register (RDSR) and Write Status Register (WRSR).

3. 寄存器

Volatile and Non Volatile Registers

3.1 传统的状态寄存器 Legacy SPI Status Register

（1）WIP=1 ，表示正在写入或者擦除。
（2）WEL=1，表示内部写使能启动。

3.2 非易失配置寄存器

非易失配置寄存器NVCR。
略。

3.3 易失配置寄存器

VCR。

3.4 易失（增强型）配置寄存器

VECR。

3.5 标志状态寄存器

Flag Status Register。
（1）P/E 编写/擦除控制器位。擦除暂停。编写暂停。都是由内存自动设置0和1。
（2）其他四位，也是在默写情形下，由内存设置。
（3）相关指令：CLFSR。RFSR。

4. 保护模式

略。

5. 存储空间信息

16,777,216 字节(8 bits each)
256 个扇区(每个扇区64 KB)
在底部和顶部版本中：底部（顶部）8个64 KB引导扇区和248个标准64 KB扇区。（每个引导扇区64KB，包括16个子扇区（4 KB））
65,536 个页(每个页有256个字节)
64 OTP bytes。64字节的一次性编程区域（独立存在于主存储之外）

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