栅极电阻硬并联与独立栅极电阻

在MOS或者IGBT并联使用中，一般都会使用独立栅极电阻，而不会将所有栅极通过一个公共栅极电阻进行硬并联。

如果将所有栅极硬并联，所有IGBT具有相同的Vge，因此各个并联的IGBT不能独立开关。Vgeth(阈值电压)低的IGBT先导通，然后将栅极电压钳位在其米勒平台电压。在其完全导通前，其他IGBT无法进入完全开通状态。因此最先开通的IGBT会承受几乎全部电流，具有较大的开通损耗。
如果使用独立栅极电阻，每一个IGBT的栅极电压便能独立上升。
以上解释并未经过测试验证，仅供参考，如果更好更权威的解释欢迎评论，一起探讨。

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