三相电机驱动电路详解
最近又开始接触驱动这块儿的电路了,好久没学,又有点忘了,特此记录。
驱动MOSFET,可以选用专用MOSFET驱动IC完成电平转换和驱动。因为MOSFET的栅‐源极之间存在寄生电容,MOSFET的开和关过程,是对电容的充放电过程,如果MOSFET的驱动电路不能提供足够的峰值电流(如1A的输入/输出电流),则会降低MOSFET的开关速度。
1.首先介绍下FOC控制驱动部分的设计
这里以FOC控制板的全桥驱动电路的一部分作为讲解。部分驱动电路如下图所示。
该驱动电路以IRS2003为驱动芯片,其中C7是自举电容,用于升压;D1是二极管是防止IRS2003芯片的VB端电压>VCC端电压而形成电流倒灌 ;此外V1和V2这两个N沟道的MOSFET的栅极端分别接了R1和R2两个阻值为100Ω的电阻,其称为栅极电阻,这个电阻称为“栅极电阻”,取值一般为10~100欧姆不等,其作用是调节MOSFET的开关速度,减少栅极出现的振铃现象,减小EMI,也可以对栅极电容充放电的限流作用。栅极电阻的引入虽然影响了MOSFET的开关速度,但得到可靠的栅极波形和减少EMI。两者之间的平衡点视实际应用而定。
另外值得注意的是,在栅极电阻R1和R2 的公共支路上有一个电阻和二极管的并联支路。其中二极管的作用是当需要关闭MOSFET时,栅极寄生电容放电时,栅极电阻被二极管短路,所以电流不经过栅极电阻,相当于在关闭时栅极电阻不存在,这样缩短了栅极寄生电容的放电时间,即提高了MOSFET的关断速度。二极管使用一般的型号即可应付。这边的电阻R4具体作用估计是跟R1、R2一样,但这边之所以没有直接在R1和R2上分别并联一个二极管达到提高MOSFET的开关速度,是为了简化这个电路。
还有一种情况,上图并没有进行设计,即是在VS端和接地端串联一个二极管。因为电机若是感性负载,则在VS端可能出现负电压,这使得自举电容充电电过压。所以串联了该二极管,当出现了负电压时,即可将该负电压的电位钳制在-Von(Von为二极管导通电压),这样就能大大减小过压的情况。
2.介绍下FOC驱动的控制策略
在PMSM的设计中,FOC控制是使用电子换向的方法实现转子不断地转动,而换向的频率则决定了电机的转速。如何驱动电机也就是使用算法和驱动器去控制电机了。具体的控制策略,也就是分别通三相电机中的其中两相,使得电机中的转子有转动的趋势,在到达稳定之后或者之前,再次改变导通的两相,使得转子在该磁场下继续转动,从而实现电机的转动,以及换向。
以上的情况是每次只通两相,从而使得转子转动,但这样的话显然会非常浪费,因为有一相没有使用,就失去了一部分扭矩,这样是没多大意义的。再往后讲就是SVPWM算法的内容了,我不再赘述,有兴趣的可以看一下下面这位大佬的讲解,可以有一个连贯的思路。
https://zhuanlan.zhihu.com/p/147659820
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