大功率mos管(功率mos管)的五种损坏原因分析,新手必读
主题:大功率mos管(功率mos管)的五种损坏原因分析,新手必读!
最近很多企业工程师在对功率mos管选型方面都纠结如何选择大功率mos管,小编认为首先要对所有的大功率mos管型号有一个全面的了解,大功率mos管到底有多少种型号?
其实,说到大功率mos管,学过电子的朋友首先想到的就是如下图所示的插件mos管:
MOSFET是较常使用的一类功率器件。“MOSFET”是英文
MetalOxideSemicoductorFieldEffectTransistor的缩写,译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安),用于功率输出级的器件。功率MOSFET可分为增强型和耗尽型,按沟道分又可分为N沟道型和P沟道型。
对于开关电源,通常使用功率MOSFET。一般来说,MOS管厂家使用RDS(ON)参数来定义导通电阻;对于 ORing FET 应用,RDS(ON) 也是最重要的器件特性。数据表定义 RDS(ON) 与栅极(或驱动)电压 VGS 和流过开关的电流有关,但对于足够的栅极驱动,RDS(ON) 是一个相对静态的参数。
如果设计人员试图开发最小尺寸和最低成本的电源,低导通电阻就显得尤为重要。在电源设计中,每个电源往往需要多个ORing MOS管并联工作,需要多个器件向负载输送电流。在很多情况下,设计人员必须并联 MOS 晶体管以有效降低 RDS(ON)。在直流电路中,并联电阻负载的等效阻抗小于每个负载的单独阻抗。例如,两个 2Ω 电阻并联就相当于一个 1Ω 电阻。因此,一般来说,RDS(ON) 值低、额定电流大的MOS 管可以让设计人员尽量减少电源中使用的MOS 管数量。
除了RDS(ON)之外,在MOS管选择过程中还有几个MOS管参数对于电源设计者来说也是非常重要的。在很多情况下,设计人员应该密切关注数据表上的安全工作区 (SOA) 曲线,该曲线还描述了漏电流和漏源电压之间的关系。基本上,SOA 定义了 MOSFET 可以安全工作的电源电压和电流。在 ORingFET 应用中,主要问题是:FET 在“完全导通状态”下的电流传输能力。事实上,漏极电流值无需SOA曲线即可获得。
损坏功率MOS管功率五种模式
第一种:雪崩
如果在漏源极之间施加超过器件额定VDSS的浪涌电压,达到击穿电压V(BR)DSS(根据击穿电流不同),超过一定的能量,则损坏会发生。介质负载开关操作关断时产生的反激电压,或漏磁感产生的峰值电压超过功率MOSFET漏极额定耐压进入击穿区造成损坏,雪崩损坏。
典型电路:
第二种:器件热损坏
它是由于超出安全区域而引起的发热。发热的原因分为直流电源和瞬态电源两种。
直流电源产生原因:外部直流电源造成的损耗引起的热传导电阻RDS(on)损耗(RDS(on)在高温下增加,导致在一定电流下功耗增加)
漏电流 IDSS造成的损耗(与其他损耗相比非常小)造成瞬态功率的原因:外部单次脉冲负载短路开关损耗(开、关)、(与温度和工作频率有关)、内置二极管的trr损耗(上下桥短路损耗)(有关与温度和工作频率)相关)负载短路引起的过流,在设备正常工作时不会发生,引起瞬时局部发热并造成损坏。此外,当热量不匹配或开关频率过高使芯片无法正常散热时,持续的热量会导致温度超过通道温度而造成热击穿的破坏。
第三种:内置二极管破坏
在DS端间构成的寄生二极管运行时,由于在Flyback时功率MOSFET的寄生双极晶体管运行,导致此二极管破坏的模式。
第四种:寄生振荡造成的损坏
这种破坏方法特别容易发生栅极寄生振荡,当功率 MOSFET 并联连接时,没有在它们并联时插入栅极电阻时会发生栅极寄生振荡。当漏极-源极电压以高速反复开启和关闭时,这种寄生振荡会发生在由栅极-漏极电容 Cgd (Crss)和栅极引脚电感 Lg形成的谐振电路中。当谐振条件(ωL=1/ωC)成立时,在栅极和源极之间施加远大于驱动电压Vgs(in)的振动电压,栅极因超出额定电压而被破坏。由于栅漏电容Cgd和Vgs波形重叠,漏源电压导通和关断时的振动电压引起正反馈,可能会因误动作而引起振荡损坏。
第五种:栅极电涌、静电损坏
主要是由于栅极与源极之间的电压浪涌和静电造成的损坏,即栅极过压损坏和带电状态下GS两端的静电(包括安装和测量设备的带电)造成的栅极损坏功率MOS管。
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