正胶显影液/正胶稀释剂/SU8 显影液/RD-HMDS/OMNICOAT光刻胶配套
正胶显影液/正胶稀释剂/SU8 显影液/RD-HMDS/OMNICOAT光刻胶配套
| 光刻胶配套试剂 | 品名 | 主要成分 | 包装 | 应用 |
| 正胶显影液 | TMAH 2.38% | 4LR/PC | 正胶显影液 | |
| 正胶稀释剂 | PGMEA | 4LR/PC | 稀释剂 | |
| SU8 显影液 | PGMEA | 4L/PC | 显影SU8光刻胶 | |
| RD-HMDS | HMDS | 500ml/PC | 增粘剂 | |
| OMNICOAT | 见MSDS | 500ml/PC | SU-8增粘剂 |
光刻胶是集成电路制造的重要材料：光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%，并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%-50%。光刻胶材料约占IC制造材料总成本的4%，市场巨大。因此光刻胶是半导体集成电路制造的核心材料。
正性光刻胶显影示意图
按显示效果分类；光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。负性光刻胶显影时形成的图形与光罩（掩膜版）相反；正性光刻胶形成的图形与掩膜版相同。两者的生产工艺流程基本一致，区别在于主要原材料不同。
负性光刻胶显影示意图
按照化学结构分类；光刻胶可以分为光聚合型，光分解型，光交联型和化学放大型。光聚合型光刻胶采用烯类单体，在光作用下生成自由基，进一步引发单体聚合，后生成聚合物；
光聚合反应示意图
光分解型光刻胶，采用含有重氮醌类化合物(DQN)材料作为感光剂，其经光照后,发生光分解反应，可以制成正性光刻胶；光交联型光刻胶采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料，在光的作用下，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，可以制成负性光刻胶。
光分解反应示意图
在半导体集成电路光刻技术开始使用深紫外（DUV）光源以后，化学放大（CAR）技术逐渐成为行业应用的主流。在化学放大光刻胶技术中，树脂是具有化学基团保护因而难以溶解的聚乙烯。化学放大光刻胶使用光致酸剂（PAG）作为光引发剂。
1-丙烯酸金刚烷酯 121601-93-2
1-金刚烷基甲基丙烯酸酯 16887-36-8
丙烯酸三环[5.2.1.02,6]癸-8-基酯 7398-56-3
4-乙酰氧基苯乙烯 2628-16-2
1,3-金刚烷二醇单丙烯酸酯 216581-76-9
2-甲基-2-金刚烷醇丙烯酸酯 249562-06-9
2-乙基-2-金刚烷基丙烯酸酯 303186-14-3
1,3-金刚烷二醇二丙烯酸酯 81665-82-9
2-氧代六氢-2H-3,5-亚甲基环戊二烯并[b]呋喃-6-基甲基丙烯酸酯 254900-07-7
甲基丙烯酸三环[5.2.1.02,6]癸-8-基酯[ 34759-34-7
2-异丙基-2-金刚烷丙烯酸甲酯 297156-50-4
2-异丙基-2-金刚烷醇丙烯酸酯 251564-67-7
gamma-丁内酯-3-基异丁烯酸酯 130224-95-2
N-异丙基甲基丙烯酰胺 13749-61-6
(9H-芴-9,9-二基)双(亚甲基)二丙烯酸酯 583036-99-1
(5-氧代四氢呋喃-2-基)甲基丙烯酸甲酯 156938-09-9
1-乙基环戊基甲基丙烯酸酯 266308-58-1
1-异丙基-1-环己醇甲基丙烯酸酯 811440-77-4
2-甲基-2-丙烯酸4-羟基苯基酯 31480-93-0
n-butyl2-(bromomethyl)prop-2-enoate 170216-64-5
2-(溴甲基)丙烯酸甲酯 4224-69-5
甲基丙烯酸-9-蒽甲酯 31645-35-9
2-oxo-2-((2-oxohexahydro-2H-3,5-methanocyclopenta[b]furan-6-yl)oxy)ethylmethacrylate[ 347886-81-1
2-乙烯基萘 827-54-3
2-环己基丙烷-2-基甲基丙烯酸酯 186585-56-8
2-甲基-丙烯酸2-氧代-四氢-呋喃-3-基酯 195000-66-9
丙烯酸甲基环戊酯 178889-49-1
丙烯酸1-乙基环戊酯 326925-69-3
2-氧代四氢呋喃-3-基丙烯酸酯 328249-37-2
4-叔丁氧基苯乙烯 95418-58-9
4-(4-(丙烯酰氧基)丁氧基)苯甲酸 69260-42-0
甲基丙烯酸-2,2,3,3,4,4,4-七氟代-丁酯 13695-31-3
wyf 01.22
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