电子束光刻胶（正胶SX AR-P 6200，AR-P617PMMA/MA共聚物），负胶AR-N 7700

光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。因为光刻胶的作用就是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶只是一种形象的说法，因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。

电子束光刻胶（e-beam resist）

类型	型号	特性
正胶	SX AR-P 6200	超高分辨率电子束正胶，通过简单的工艺即可得到10nm甚至更小的结构。超高深宽比（20:1）、超高对比度（>15）。良好的耐干法刻蚀性能，是传统PMMA胶的2倍。完全可以取代ZEP胶，经济实惠，并且采购简单，包装规格多样化。
	AR-P617 PMMA/MA共聚物	适合目前各种应用需要的电子束光刻胶。灵敏度高，是普通PMMA胶的3~ 4倍，对比度亦高于PMMA。 PMMA/MA共聚物也可以和PMMA通过双层工艺实现lift-off工艺。
	PMMA	PMMA（polymethyl methacrylate）是电子束曝光工艺中最常用的正性挂面光刻胶，是由单体甲基丙烯酸甲酯（methyl methacrylate, MMA）经聚合反应而成。 PMMA胶最主要的特点是高分辨率、高对比度、低灵敏度。 PMMA胶种类齐全，不同的系列中包含了各种分子量（50K, 200K, 600K, 950K），各种溶剂（氯苯，乳酸乙酯，苯甲醚）以及各种固含量的PMMA胶，以满足各类电子束光刻的工艺要求。 PMMA胶可用于单层或双层电子束曝光、转移碳纳米管或石墨烯、绝缘层等多种工艺。（注：工厂可根据用户的需求，定制所需分子量、固含量的PMMA胶。）
	AR-P 6510	AR-P 6510是在PMMA的基础上开发的厚胶。另外，厂商可以根据客户的具体需求来生产其他分子量的LIGA工艺用胶。主要用于LIGA工艺和X-Ray 曝光工艺。此类光刻胶型号齐全，厚度从10~250μm不等，图形剖面陡直。
负胶	AR-N 7520 AR-N 7500	电子束负胶，高分辨率（30nm），对比度高（> 5），良好的耐等离子刻蚀性能，可以用于混合曝光。灵敏度中等，介于AR-N 7700和PMMA之间。
	AR-N 7700	电子束负胶，化学放大胶，高灵敏度，高对比度，良好的耐等离子刻蚀刻蚀性能，可以用于混合曝光。
	AR-N 7720	电子束负胶，用于三维曝光工艺。化学放大胶，高灵敏度，对比度非常小（<1），非常适合制作三维结构；也可以用于衍射光学及全息器件的加工。
	X AR-N 7700/30 SX AR-N 7700/37	化学放大负胶，高分辨率，良好的耐等离子刻蚀能力，适合混合曝光。高灵敏度，灵敏度比AR-N 7700更高。

配套试剂
（Process chemicals）

类型	型号	特性
显影液	AR 300-26, -35	紫外光刻胶用显影液
	AR 300-44,-46,-47, -475	紫外/电子束光刻胶用显影液
	AR 600-50,-51,-55,-56	PMMA胶用显影液
定影液	AR 600-60,-61	电子束光刻胶用定影液
除胶剂	AR 300-70, -72, -73,600-70	紫外/电子束光刻胶用除胶剂
稀释剂	AR 600-01…09	PMMA胶稀释剂
稀释剂	AR 300-12	紫外/电子束光刻胶用稀释剂
增附剂	AR 300-80, HMDS	紫外/电子束光刻胶用增附剂

以上资料来自小编zhn2022.06.13

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