1. 插入损耗（Insertion Loss, IL）

1.1 定义

定义了由开关输入端到输出端，传输信号所损耗的信号功率比率。

$IL= \frac{Psouce}{Pload}$

二端口网络的损耗公式：

$IL=\frac{Psource}{Pload}=\frac{1}{|S_{21}|^2}$

若使用单个串联MOS管代替二端口网络，设开启状态MOS导通阻抗为 $Z_{ON}$ ，源阻抗与负载阻抗均为 $Z_o$ ，则插入损耗可表示为：

$IL(dB)=-20log\frac{2Z_o}{2Z_o+Z_{ON}}$

1.2 对性能的影响

开关插入损耗会恶化发射与接收链路的性能。

对于发射链路，开关的插入损耗可直接等效降低功率放大器的输出功率，继而影响有效功率附加效率。
对于接收链路，开关插入损耗会直接影响接收机噪声、灵敏度等性能。

2. 隔离度

2.1 定义

关断路中，信号源功率 $P_{source}$ ，与泄露至关断路负载端的信号功率 $P_{leakage}$ 的比值。

表征了关断路所存在的信号泄漏量。

$ISO=\frac{P_{source}}{P_{leakage}}$

$ISO(dB)=P_{souce}-P_{leakage}$

2.2 对性能影响

泄露原因：

串联MOS开关在关断的情况下，栅-源、栅-漏，源-漏等极间寄生电容会产生耦合作用，引起信号泄露。该泄露随着信号频率的升高而增加。
当信号功率过大，在信号的波谷，可能会发生关断MOS管的导通，造成大量信号泄露。
同一硅衬底的不同元件之间，衬底耦合也会引起一定的信号泄露，恶化隔离度。

收发机天线发射信号功率要比接收信号功率高数十dBm，因此发射模式下的隔离度性能尤为重要。

对于开关隔离度的优化，现有的技术有：

交流悬浮
负压偏置
LC谐振网络
……

3. 线性度

3.1 1dB压缩点 (1dB Compression Point, P1dB)

设输入信号 $x(t)$ ，输出信号 $y(t)$ ，理想线性电路输入和输出信号为一阶线性关系：

$y(t)=ax(t)$

而实际电路存在多种非线性因素引起多谐波响应：

$y(t)=a_1x(t)+a_2x^2(t)+a_3x^3(t)+...$

若输入信号为单谐波信号 $x(t)=Acos(wt)$ ，则：

$y(t)=a_1Acos(wt)+a_2A^2x^2cos^2(wt)+a_3A^3x^3cos^3(wt)+... \approx\frac{a_2A_2}{2}+(a_1A+\frac{3a_3A^3}{4})cos(wt)+\frac{a_2A^2}{2}cos(2wt)+...$

1dB压缩点，越大越好。即线性度越好。

3.2 三阶截点

三阶截点功率值比1dB压缩点功率值高10dB。

当输入信号为双音信号（幅度相等，频率相近的双谐波信号），即：

$x(t)=V_1cos(w_1t)+V_2cos(w_2t)$

设系统具有三阶非线性，即：

$y(t)=a_1x(t)+a_2x^2(t)+a_3x^3(t)$

把双音信号带入之后，得：

$y(t)=\frac{1}{2}a_2(V_1^2+V_2^2)+[a_1V_1+\frac{3}{4}(V_1^3+2V_1V_2^2)]cos(w_1t)+[a_1V_2+\frac{3}{4}a_3(V_2^3+2V_2V_1^2)]cos(w_2t)+a_2V_1V_2[(cos(w_1+w_2)t)+(cos(w_1-w_2)t)]+\frac{3}{4}a_3V_1^2V_2cos(2w_1-w_2)t+\frac{3}{4}a_3V_2^2V_1cos(2w_2w_1)t+\frac{1}{2}a_2[V_1^2cos(2w_1t)+V_2^2cos(sw_2t)]+\frac{3}{4}a_3V_1^2V_2cos(2w_1+w_2)t+\frac{3}{4}a_3V_2^2V_1(2w_2+w_1)t+\frac{1}{4}a_3[V_1^3cos(3w_1t)+V_2^3cos(3w_2t)]$

画图表示为：

三阶截点：

随着功率增大，基波输出功率和三阶互调输出功率均出现非线性。
输出功率较低时，其非线性系数君位0.
当输出功率增大1dB时，基波输出功率增大1dB，三阶互调分量输出功率增大3dB。
当输入信号增大到某个值时，基波输出功率和三阶互调输出功率相等。

三阶截点越大，线性度越好。

4. 回波损耗（Return Loss，RL）

用于衡量端口匹配性能。

回波损耗越小，表示反射回来的信号比率越小，即信号能量利用率越高。

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