模拟cmos集成电路（4）
cs stage 负载电阻必须足够大才能获得高增益（否则和输出电阻并再乘gm 增益会很小）
source follower as a voltage buffer(可以理解为阻抗变换器)
最好做到输入电阻∞ 输出电阻为0 增益可以为1 接在cs stage后面 实现阻抗变换
input 在G output在S 也可以成为common drain stage（仅有截止和饱和两种状态）
小信号分析
A<1
Id严重依赖Vin 仍然非线性 解决方法就是使用电流源代替电阻（即增加nmos长L电流源）
电流源可以视为Rs趋于∞ Av此时受M1体效应的影响
推导输出电阻
小信号模型中 电流源等效无穷大电阻（开路） 常用一个Vx代替来进行分析 (b接地)
同时希望输入mos管的跨导尽可能大 即W大 L小 宽长比大就会有很大的跨导 输出电阻就会小
源随器的常见应用
直接用CS很难推动小电阻的负载，因此增加源随器进行阻抗变换可以得到较大的增益
通过将n阱与源端连接可以消除体效应
level shifer（电平移位器）
如果输入信号时麦克风这样的中心电平为0的信号，可以将其与源随器连接（抬升电压用P 降低n）
common gate（共栅放大器）指栅极接小信号的地 并不是真正接地
输入信号源的内阻会影响增益
共栅级输入电阻的推导
即使用最接近电流源的pmos代替理想电流源 也仅仅变为2/gm rin仍然很小
cascode stage（共源共栅） 将输入共源极得到的输出电流直接流进共栅极的输入端就称为cascode 流过相等的电流 电流复用
如果输入选错晶体管就会输出为0
实现几乎∞的输出电阻 但是会损失输出电压的范围 一根管子200mv
电流源负载时会获得很大的本征增益 但如果接电阻就不会体现出这样的特性
增益可以记为m1的跨导成输出电阻
输入输出的隔离度也会提升；；缺点就是要偏置Vb准确 否则m1就进入线性区了且消耗2Vod(过驱动电压)sway小
由于上面的结构增益太大了 输入端微小的变化就会引起输出端很大的变化，因此对于高增益放大器不考虑Vin的范围而重点关注Vout的范围
采用cascode结构可以承受更大的电压
使用folded 可以降低偏置点设置的困难 m1不易被压入线性区
缺点就是rout会下降
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