单P沟道,-30V,-3.1A,功率MOSFET

描述

WPM3012是P沟道增强型MOS场效应晶体管。 使用先进的沟槽
技术和设计,提供卓越的RDS(ON)低栅极电荷。 该设备适合使用
在DC-DC转换,电源开关和充电电路。 标准产品WPM3012是无铅的无卤。

特征

FAE:13723714318
超高密度电池设计
出色的导通电阻,可提供更高的直流
极低的阈值电压
小包装SOT-23

应用

继电器,电磁铁,电机,LED等驱动器
DC-DC转换器电路
电源开关
负载开关
充电


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