FS8205A低压20V N 沟道增强型 MOS 场效应管

FS8205A低压20V N 沟道增强型 MOS 场效应管，20V N 沟道增强型 MOS 场效应管

20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET

RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.0A = 28mΩ

RDS(ON), Vgs@4.0V, Ids@4.0A = 24mΩ

RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.5A = 21mΩ

特点

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专有的先进平面技术

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高密度超低电阻设计

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大功率、大电流应用

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理想的锂电池应用

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封装形式： SOT23-6 、 TSSOP-8

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