ESN4485是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,以低栅极电荷提供出色的RDS(ON)。该装置适用于直流-直流转换、电源开关和充电电路。标准产品ESN4485不含铅。

功能特征

1、-40V,RDS(ON)=13 mΩ(Typ),VGS=-10V

RDS(ON)=17 mΩ(Typ),VGS=-4.5V

2、快速切换

3、低RDS的高密度电池设计(开)

4、材料:无卤素

5、可靠且坚固

6、雪崩额定值

7、低泄漏电流

应用

1、PWM应用

2、负载开关

3、便携式/台式电脑的电源管理

4、DC/DC转换

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