半导体材料 MOOC学习记录 第十四章 新型半导体材料SiC
第十四章 新型半导体材料SiC
1
单选(1分)
以下对于SiC性质描述错误的是C
A.
硬度高，耐磨性好
B.
具有很高的电导率
C.
容易得到均匀、低缺陷密度的高纯晶体
D.
具有非常高的击穿电场，相比较硅具有更高的耐压能力和电流密度
2
单选(1分)
以下对于SiC性质描述错误的是A
A.
无论哪种生长方式，6H-SiC都最容易生长
B.
C面的氧化速率比Si面高很多
C.
可以用物理气相传输法制备SiC单晶
D.
一般用SiC体单晶或者蓝宝石作为衬底制备SiC薄膜
3
多选(1分)
以下可以对SiC进行P型掺杂的元素是BC
A.
N
B.
B
C.
Al
D.
P
4
判断(1分)
SiC有很多种晶型，其中4H型应用较为广泛T
A.
B.
5
判断(1分)
外延扩散、扩散扩散和离子注入可以用来SiC单晶的掺杂，其中离子注入是主要的掺杂方式。T
A.
B.
6
判断(1分)
不同的类型的SiC晶体的辐射跃迁不同，可以制备不同颜色光的发光器件。T
A.
B.
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