ASEMI代理IXYB82N120C3H1艾赛斯IGBT二极管
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ASEMI代理IXYB82N120C3H1艾赛斯IGBT二极管
型号:IXYB82N120C3H1
品牌:IXYS/艾赛斯
封装:TO-264
最大漏源电流:82A
漏源击穿电压:1200V
RDS(ON)Max:mΩ
引脚数量:3
特性:IGBT二极管
芯片个数:
沟道类型:
漏电流:ua
特性:IGBT、二极管
工作温度:-55℃~150℃
备受欢迎的IXYB82N120C3H1二极管
艾赛斯品牌IXYB82N120C3H1是采用工艺芯片,该芯片具有良好的稳定性及抗冲击能力,能够持续保证了IXYB82N120C3H1的最大漏源电流82A,漏源击穿电压1200V.
•细节体现差距
IXYB82N120C3H1,艾赛斯品牌,工艺芯片,工艺制造,该产品稳定性高,抗冲击能力强。
IXYB82N120C3H1具体参数为:最大漏源电流:82A,漏源击穿电压:1200V,反向恢复时间: ns,封装:TO-264
强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列:
Infineon/英飞凌:IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。
ON/安森美:FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。
ST意法:STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。
IXYS/艾赛斯:DS145-16A等。
ASEMI半导体厂家-强元芯电子专业经营分离式元器件,主要生产销售整流桥系列封装(DB、WOB、BR、KBPC、KBP、KBPM、GBU、GBL、KBL、KBJ、KBU);整流模块(MDS、MTC、MDQ、QLF、SQLF);汽车整流子(25A~50A STD&TVS Button、Cell、MUR);肖特基二极管TO-220(MBR10100、10150、20100、20150、20200、30100、30200全塑封半塑封);肖特基TO-3P/247,整流二极管(STD、FR、HER、SF、SR、TVS、开关管、稳压管);玻璃钝化(GPP)六英寸晶圆等,各种封装参数在ASEMI官网都有详细介绍。
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