ASEMI代理艾赛斯IGBT管IXYB82N120C3H1

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艾赛斯IGBT管IXYB82N120C3H1参数：

型号：IXYB82N120C3H1

漏极-源极电压（VCES）：1200V

连续漏电流（IC）：82A

功耗（PC）：1040W

工作结温度（TJ）：-55 to +150℃

零栅极电压漏极电流（ICES）：50uA

输入电容（CISS）：4060pF

二极管正向电压（VSD）：2.7V

反向恢复时间（trr）：420ns

IXYB82N120C3H1封装尺寸：

封装：TO-264

总长度：47.98mm

本体长度：26.59mm

引脚长度：21.39mm

宽度：20.29mm

高度：5.31mm

脚间距：5.45mm

IXYB82N120C3H1特征：

针对低开关损耗进行了优化

方形RBSOA

反并联超快二极管

Vce的正热系数（sat）

雪崩额定值

高电流处理能力

国际标准包装

IXYB82N120C3H1应用：

高频功率逆变器

不间断电源

电机驱动器

表面粗糙度

PFC电路

电池充电器

焊接机

灯镇流器

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