ASEMI代理ST/意法STW78N65M5原厂渠道汽车级MOSFET
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ST/意法STW78N65M5汽车级MOSFET参数:
型号:STW78N65M5
连续漏极电流(ID):69A
功耗(Ptot):450W
贮存温度和工作结温(Tstg,Tj):-55 ~ 150℃
漏源击穿电压V(BR)DSS:650V
栅极阈值电压V(GS)th:4V
零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA
栅源漏电流(IGSS):±100nA
漏源导通电阻RDS(on):0.024Ω
输入电容(Ciss):9000pF
输出电容(Coss):210pF
二极管正向电压(VSD):1.5V
反向恢复时间(trr):504ns
STW78N65M5是N通道MDmesh™ V功率MOSFET基于创新的专有垂直工艺技术,与STMicroelectronics著名的PowerMESH相结合的水平布局结构。STW78N65M5具有极低的导通电阻,这在硅基功率MOSFET中是无与伦比的,使其特别适用于需要高功率密度和卓越效率的应用。
STW78N65M5特征:
专为汽车应用而设计,符合AEC-Q101标准
更高的VDSS等级
更高的dv/dt能力
出色的切换性能
易于驾驶
100%雪崩测试
STW78N65M5应用:
切换应用
强元芯电子原厂渠道代理各种车规级MOS、IGBT、FRD系列:
Infineon/英飞凌:IPW65R150CFDA、IPW65R110CFDA、IPW65R080CFDA、AIGW40N65H5、AIGW50N65H5等。
ON/安森美:FCH041N65F、NVHL040N65S3F、FGH40N60SMD、ISL9R3060G2等。
ST/意法:STW43NM60ND、STW78N65M5、STTH6010-Y、STTH30ST06-Y、STTH60RQ06-Y、STTH1506DPI、STTH15RQ06-Y等。
IXYS/艾赛斯:DS145-16A等。
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