LVDS低电压差分信号简介

1. 名词解释

1.1. 背景

随着数据传输速率越来越高,现在计算机系统中的数据传输接口基本上都串行化了,像USB、PCIe、SATA、DP等等外部总线将并行总线挤压到只剩下内存总线这个最后的堡垒。当然,就算是并行传输总线最后的倔强DDR也在不断吸收SERDES上的技术来提升自己,尤其是均衡器(Equalization,EQ)技术,在DDR5标准中,DRAM将被指定涵盖DFE(判决反馈均衡)能力。

随着信号速率的提高,在系统同步接口方式中,有几个因素限制了有效数据窗口宽度的继续增加。

  • 时钟到达两个芯片的传播延时不相等(clock skew)

  • 并行数据各个bit 的传播延时不相等(data skew)

  • 时钟的传播延时和数据的传播延时不一致(skew between data and clock)

要提高接口的传输带宽有两种方式,一种是提高时钟频率,一种是加大数据位宽。那么是不是可以无限制的增加数据的位宽呢?这就要牵涉到另外一个非常重要的问题–同步开关噪声(SSN),数据位宽的增加,SSN成为提高传输带宽的主要瓶颈。

由于信道的非理想特性,信号从Tx通过FR4 PCB板传输到Rx,这中间会有信号插损、回损、近/远端串扰,再继续提高频率,信号会严重失真,这就需要采用均衡和数据时钟相位检测等技术,这也就是SerDes所采用的技术。

1.2. 历史

LVDS(Low-Voltage Differential Signaling,低电压差分信号)是美国国家半导体(National Semiconductor, NS,现TI)于1994年提出的一种信号传输的电平标准,它采用极低的电压摆幅高速差动传输数据,可以实现点对点或一点对多点的连接,具有低功耗、低误码率、低串扰和低辐射等优点,已经被广泛应用于串行高速数据通讯场合,如高速背板、电缆和板到板数据传输与时钟分配,以及单个PCB内的通信链路。

2. 技术标准

低电压差分信号(LVDS)是一种高速点到点应用通信标准。多点LVDS (M-LVDS)则是一种面向多点应用的类似标准。LVDS和M-LVDS均使用差分信号,通过这种双线式通信方法,接收器将根据两个互补电信号之间的电压差检测数据。这样能够极大地改善噪声抗扰度,并将噪声辐射降至最低。相对于LVDS,M-LVDS指定了更高的差分输出电压,以便允许来自多点总线的更高负载。

两种协议都是面向高速通信设计的。典型应用环境下会采用PCB走线或较短的有线/背板链路。LVDS的共模范围就是针对这些应用而设计。相对于LVDS,M-LVDS扩展了其共模范围,允许多点拓扑结构中具有额外噪声。

LVDS是一种用于替代发射极耦合逻辑(ECL)或正发射极耦合逻辑(PECL)的低功耗逻辑 。LVDS的主要标准有两个:即TIA(电讯工业联盟)/EIA(电子工业联盟)的ANSI/TIA/EIA-644标准(LVDS接口也因此称为RS-644接口)与IEEE 1596.3—SCI(可扩展一致性接口)。LVDS广泛用于高速背板、电缆和板到板数据传输与时钟分配,以及单个PCB内的通信链路。

LVDS/M-LVDS应用考虑

  • 总线类型和拓扑结构

  • 时钟分配应用

  • LVDS/M-LVDS信号的特性

  • 端接和PCB布局

  • 抖动和偏斜

  • 数据编码和同步

  • 隔离

3. 技术原理

通常一个简单的点到点(point to point )LVDS的电路结构如下图所示:

LVDS点对点通讯

其基本优势是结构简单,功耗低,速度快,抗干扰能力强,能够传输5-10m。但是这一切又都是如何实现的呢?接下来就简要介绍一下技术上的细节。

3.1. 硬件构造

LVDS电平标准采用一对(两根)差分信号线传输数据。通过驱动3.5mA的稳定电流源,可在100Ω终端电阻时,以350mV这样非常低振幅的差动信号来高速传送数据。其数据传输速度在规格内限定最大为655Mbit/s。但这并不是极限值。通过各半导体厂商独有的加工,可以完成3Gbit/s左右的高速传输速度。

LVDS硬件构造

LVDS 信号传输一般由三部分组成: 差分信号发送器,差分信号互联器,差分信号接收器。

  • 差分信号发送器:将非平衡传输的TTL 信号转换成平衡传输的LVDS 信号

  • 差分信号接收器:将平衡传输的LVDS 信号转换成非平衡传输的TTL 信号

  • 差分信号互联器:包括联接线(电缆或者PCB 走线),终端匹配电阻。按照IEEE 规定 ,电阻为100 欧,我们通常选择为100 ,120 欧。

LVDS的差动信号波形的具体示例请见下图:

LVDS的差动信号波形

将两根差动信号--正电极信号(A+)和负电极信号(B−),以1.2V的共同电压(Voc)为中心,使2个信号间以350mV的电位差摆动。然后,用探针测定示波器的差动,会得到图2这样的信号波形。这就是两个信号的振幅差((A+)−(B−))。以差动探针测定,就能得到振幅差的计算结果。但是这样的信号波形并不是物理存在的。

3.2. LVDS收发器

概述: 电流驱动——电压接收——共模电压由0-2.4V直流偏置,典型为1.2V——差模电压:350mV由驱动电流提供

LVDS的发送器与接收器的基本结构如下图所示。它使用两根线(即差分信号线)来传输一个信号,并且使用恒流源(Current Source)驱动,即电流驱动型(而TTL、CMOS之类电平标准为电压驱动型)。

LVDS收发器基本结构

其中,驱动器(Driver)中的场效应管(不一定是场效应管,因为LVDS技术规范主要侧重于LVDS接口的电气、互连与线路端接,对于生产工艺、传输介质及供电电压无明确要求,也就是说,可以采用CMOS、GaAs或其它工艺实现,能抓到老鼠的黑猫白猫都是好猫)组成一个全桥开关电路,用来控制3.5mA恒流源的电流流动方向,接收器(Receiver)的同相与反相端之间并联了一个100欧姆的端接电阻,LVDS接收器具有很高的输入阻抗,因此驱动器输出的电流大部分都流过100Ω的匹配电阻,并在接收器的输入端产生大约350mV 的电压,再经过接收器判断就形成了高低电平。电流源为恒流特性,终端电阻在100 ~120 欧姆之间,则电压摆动幅度为:3.5mA * 100 = 350mV ;3.5mA * 120 = 420m V。

当Q2、Q3导通而Q1、Q4截止时,恒流源电流经Q3流向接收器,并向下穿过100欧姆端接电阻再返回至驱动端,最后经Q2到地(GND),3.5mA的电流在100欧姆电阻上产生350mV的压降,此时同相端电压高于反相端电压,输出为高电平“H”,如下图所示:

而当Q2、Q3截止而Q1、Q4导通时,恒流源电流经Q1向右流向接收器,并向上穿过100欧姆端接电阻再返回至驱动端,最后经Q4到地(GND),3.5mA的电流在100欧姆电阻上也产生350mV的压降,但此时同相端电压低于反相端电压,输出为高电平“L”,如下图所示:

通常我们将LVDS接收器与发送器简化成类似下图所示:

如下图所示(来自TI公司LVDS收发芯片SN65LVDS180数据手册)

从LVDS结构原理可以看出,一对差分信号线只能够进行一个方向的数据传输,即单工通信(也称为点对点传输point-to-point),但是我们常见的USB接口也只是使用一对差分信号线,为什么却可以双向传输呢?原因很简单,它是使用两对驱动器与接收器组合而成的,如下图所示:

USB接口结构

这是一种**半双工(half duplex)**的配置结构,也就是说,在任意时刻差分信号线仍然只能是往一个方向传输数据,但可以分时进行双向数据传输,当驱动器1向接收器1发送数据时,驱动器2与接收器2相当于无效的,反之亦然。当然,USB总线的实际结构要复杂得多,如下图所示(来自USB2.0规范,扯远了)

USB2.0

3.3. LVDS电气参数

我们来看看如下图所示的LVDS驱动器电气参数(来自TI公司LVDS收发芯片SN65LVDS180数据手册)

SN65LVDS180

上表中的VOD(Differential output voltage magnitude)即驱动器的差分输出电压幅度,也就是前述在端接电阻上产生的350mV压降,我们可以用下图所示(注意:是差模信号):

VOD差分输出电压幅度

表中还有一个VOC(SS)(Steady-state common-mode output voltage)即稳态共模输出电压是个什么东西呢?我也不是很明白!咱们按图索骥找到数据手册中的Figure 3,如下图所示:

VOC稳态共模输出电压

哦,原来是当驱动器输入数字信号(未转换成LVDS信号前)时,转换出来的LVDS信号电压对公共地的平均值,也称为VOS(Offset Voltage,),TI公司的其它数据手册有使用VOS如下图所示:(来自TI公司的LVDS收发芯片型号SN65LVDS049数据手册)

我们之前讲过,当使用LVDS电平标准传输高低电平时,接收端收到了+350mV或-350mV的压降只是差模信号,实际上还有一定的共模信号,它不影响接收器进行数据的判断。

当驱动器向接收器发送高电平“H”时,其等效图如下所示(注意:这个等效图仅适合传输线非常短的条件下):

当驱动器向接收器发送低电平“L”时,其等效图如下图所示

综合以上两种等效电路,我们有如下图所示的电平波形图:

换言之,当LVDS进行高低电平切换时,电流源的电流在换向的瞬间,端接电阻流过的电流为零,因此端接电阻两端的电压就是VOS(电阻两端电压相同,因此没有压降,也没有电流),如下图所示:

当然,这个电流换向转换瞬间非常短,通常只有几百皮秒,如下图所示:

接收器的输入电气参数如下图所示:

因此我们也可以用下图表示LVDS电平标准的噪声容限:

从图中可以看到,LVDS电平标准的噪声容限约为1.075V(一般认为其噪声容限为 1V)这里我们只是根据TI数据手册画出电平标准图,没有做任何修改,不同厂家的信息可能略有不同。

3.4. 技术优势分析

3.4.1. 单端信号和差分信号之间的差异

单端信号: 通常大多数低速数字逻辑电平(如TTL、CMOS)是用一根走线来传输信号,信号由相对于地参考平面(0V GND)的电平来确定逻辑“ L”和逻辑“ H”

随着速率的提高,单端信号的上升/下级沿也变得陡峭,因此,输出开关噪声会导致信号产生过冲和下冲,并且当多位信号同时转换时,还要考虑地弹(ground bounce)问题,同时单端信号以参考地平面作为信号回流路径,这也为Layout带来了挑战,由传输线阻抗不匹配引起的反射效应会变得非常严重。

差分信号: 有别于单端信号一根信号线传输信号,GND作为高(H)、低(L)逻辑电平的参考并作为镜像流量路径的做法,差分传输在两根传输线上都传输信号,这两个信号的振幅相等,相位相差180度,极性相反,互为耦合。

3.4.2. 差分信号的优点

  1. 因为你在控制「基准」电压,所以能够很容易地识别小信号。在一个参考地(0 V)基准的单端信号传输系统里,测量信号的精确值依赖系统内(0 V)的一致性。信号源和信号接收器距离越远,它们局部地的电压值之间有差异的可能性就越大。而差分信号恢复的信号值在很大程度上与参考地(0 V)的精确值无关,在某一范围内便可。

  2. 它对外部电磁干扰(EMI)是高度免疫的:一个干扰源几乎相同程度地影响差分信号对的每一端。既然电压差异决定信号值,这样将忽视在两个导体上出现的任何同样干扰。除了对干扰不大灵敏外,差分信号比单端信号生成的EMI还要少。

  3. 在一个单电源系统,能够从容精确地处理「双极信号」。为了处理单端,单电源系统的双极信号,我们必须在地和电源干线之间某任意电压处(通常是中点)建立一个虚地。用高于虚地的电压来表示正极信号,低于虚地的电压来表示负极信号。接下来,必须把虚地正确地分布到整个系统里。而对于差分信号,不需要这样一个虚地,这就使我们处理和传播双极信号有一个高真度,而无须依赖虚地的稳定性。

3.4.3. 低压的优势

随着集成电路的发展和对更高数据速率的要求,低压供电成为急需。降低供电电压不仅减少了高密度集成电路的功率消耗,而且减少了芯片内部的散热,有助于提高集成度。减少供电电压和逻辑电压摆幅的一个极好例子是低压差分信号(Low Voltage Differential Signaling LVDS),同时也降低了系统功耗。

3.5. 小结

LVDS的优势包括:

  • 通信速度高达1Gbps或以上

  • 电磁辐射EMI更低

  • 抗扰度EMC更高

  • 低功耗工作

  • 共模范围允许高达±1V的接地失调差额

4. 技术扩展

4.1. LVDS的传输距离传输距离

LVDS传输距离均受两个主要因素的影响:传输介质数据速率。关于给定传输距离,是否切合实际的标准决定于接收节点观察到多大的抖动,这与应用环境有关。有些应用环境需要5%或更低的抖动,有些则容许高达20%的抖动。

PCB走线通常允许大约几十厘米的传输距离;双绞线电缆用于LVDS时允许大约几米的传输距离;不同规格的PCB构造或电缆类型会对信号造成不同影响,进而影响最大传输距离。更高的数据速率会极大地限制传输距离; 1 Gbps下的LVDS或许只能通过1米的优质电缆进行传输(可能还需要额外的信号调理),但是在100 Mbps条件下传输距离可能达到10米 (具体取决于电缆类型)。下图提供了部分应用环境下典型的LVDS和M-LVDS数据速率及电缆长度组合指示。

部分典型LVDS和M-LVDS应用中的电缆长度(双绞线)与数据速率

4.2. 端接和PCB布局

无论是使用电缆还是PCB走线,都应该结合传输线路理论对高速通信链路进行考虑。LVDS高数据速率需要快速上升时间,这意味着,随着信号从驱动器一直传播到总线端部,阻抗不连续和通信链路的端部会显著影响传输信号。为避免信号降级,需要沿着通信介质控制阻抗,并保证合适的端接。

端接电阻应该与通信介质的阻抗匹配;对于LVDS,这通常为100 Ω。对于简单的点到点链路,只需要端接距离驱动器最远的总线端部,如图14所示。对于多分支总线,如果驱动器在总线的一端,则可采用相同的端接方法,否则需要端接总线的两端。

4.3. M-LVDS

面向多点低电压差分信号(M-LVDS)的标准TIA/EIA-899将LVDS延伸到用于解决多点应用中的问题。相对于TIA/EIA-485 (RS-485)或控制器局域网(CAN),M-LVDS能够以更低的功耗实现更高速度的通信链路。M-LVDS往往允许几十米的传输距离,M-LVDS相对于LVDS的额外特性包括:

  • 驱动器输出强度更高

  • 跃迁时间可控

  • 共模范围更广

  • 面向总线空闲条件提供故障安全接收器选项

4.4. 其他差分技术

下图列举了几种常用通信协议的速率和通信距离对比:

速率和通信距离

5. Q&A

5.1. 终端电阻100Ω是怎么来的

这个值是根据spec计算出来的,lvds的驱动是3.5mA恒流源,接收端电平判别的典型值是350mv,算出得到终端电阻是100Ω。接收端判别电平的范围可以根据具体器件的数据手册来查看。如果想增大抗干扰能力,其实可以适当提高这个电阻的阻值,比较常用值是120Ω。

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