YJL3400A,n沟道增强模式场效应晶体管的学习
一、封装和符号
电流是从上往下流,会有一个二极管的原因是:如若外加感性负载,由于感性负载的电流和电压不能突变,则电流不能突变,若加上较大电压,则需提供蓄流通路。所以放二极管在这里。
二、参数
1.VDS:30V
2. ID:5.6A
3.绝对最大额定值参数:
a.漏源电压(即D端):30V
b.栅极(VGS):±12V
c.漏极电流:TA=25℃:5.6A
TA=70℃:4.5A
4.电气特性:
(1)静态参数
1.漏源击穿电压:30V
2.栅极为0时的漏极电流:IDSS: VDS=30V,VGS=0V,电流为 1 μA
3.栅极电压:0.65---1.5V 典型值:0.9V
(2)一些参数说明
VDS表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值。
PD表示最大耗散功率,是指MOS性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。
△VDS/TJ表示的是漏源击穿电压的温度系数,正温度系数。
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