N沟道增强型场效应晶体管NCE75H11

　　NCE75H11采用先进的沟槽技术和设计，以低栅荷提供优良的rds(ON)。它可以用于各种各样的应用。

　　产品型号：NCE75H11

　　产品种类：MOSFET

　　产品特性：N沟道增强型场效应晶体管

　　漏源极击穿电压（最大）：75V

　　连续漏极电流（最大）：110A

　　功率耗散（最大）：210W

　　栅源极击穿电压：25V

　　漏源导通电阻（典型值）(10V)：7.5mΩ

　　封装：TO-220

　　一般特征:

　　VDS=75V,ID=110A

　　RDS(ON)<9mΩ@VGS=10V(Typ:7.5mΩ)

　　特殊工艺，具有高ESD能力

　　超低Rdson高密度电池设计

　　充分表征雪崩电压和电流

　　稳定性好，均匀性好，EAS值高

　　优异的散热包装

　　应用程序:

　　电源开关应用

　　硬开关高频电路

　　不间断电源

　　典型应用电路图:

　　誉辉天成电子有限公司以TI为主线，ON、NXP、ST、SKYWORKS为辅线，所经营产品应用覆盖汽车电子、网络通讯、投影设备、电力安防、工控仪器、消费类电子等行业，合作伙伴包括国内贸易同行、电子产品制造商及众多的大型企业，亦有洲明科技及珠海太川等大客户。公司拥有一批经验丰富的专业采购及销售团队，长期关注电子产业的最新动态与价格变化，与全球IC制造原厂、代理商建立了良好的合作关系，与国内着名设计厂商达成合作，授权代理。同时快速响应新老客户需求，企业内部管理启用了业内先进的ERP管理系统，高效快速整合公司的资源，为客户带来星级服务。

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