DSB调幅原理

用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为振幅调制，简称调幅。振幅调制电路的功能是在输入的调制信号和载波信号的共同作用下产生所需的振幅调制信号（如图所示），是使载波信号的峰值正比于调制信号的瞬时值的变换过程。通常载波信号为高频信号，调制信号为低频小信号。设载波信号和调制信号的表达式分别为：

为了提高信息传输效率，采用双边带振幅调制，其调幅波的表达式为：

式中m=UΩm/Ucmm = U_{Ωm} /U_{cm}m=UΩm/Ucm称为调幅系数

波形如图
频谱如图

MC1496电路与原理

一种模拟乘法器，管脚图如下：

双差分对管振幅调制电路

由两个单差分对管电路T1、T2、T5、和T3、T4、T6、组合而成，，输入信号u1加在两个单差分对管的输入端，u2加到T5和T6的输入端。

参数计算与元件选择

R14：当 VEE=-8V，I5=1mA 时（MC1496 器件的偏置电流取 I0＝I5＝1mA左右），可算得：
R14=（8−0.7）/（1X10−3）−500=6.8KΩR14={（8-0.7）/（1X10^{-3}）}-500=6.8KΩR14=（8−0.7）/（1X10−3）−500=6.8KΩ
R11：MC1496 的 2、3 脚外接电阻 R5，可调节乘法器的增益，扩展输入信号 Uy 动态范围，且有 Uy≤I5R5 取 I5=1mA，Uy=1V(峰值)时，由上式可确定 R11：
R11≥Uy/I5=1/(1X10−3)=1KΩR11≥Uy/I5=1/(1X10^{-3})=1KΩR11≥Uy/I5=1/(1X10−3)=1KΩ
R5、R6、R7、R8、R9、R10:为了保证晶体管工作在放大状态，晶体管的集-基极间的电压应大于或等于 2V，小于或等于最大允许工作电压。根据 MC1496 的特性参数及其内部电路图，静态偏置电压应满足下式：

电阻 R4、R5、 R6提供芯片内晶体管的静态偏置电压。故: R5=R6=1KΩ，R4=51Ω。当进行 DSB 调制时，R7=R8=10KΩ，使调零更加精确，R9=R10=51Ω。
R12、R16负载电阻：一方面考虑上图中第一式，另一方面因为这两个电阻与模拟乘法器放大倍数有关，输出要满足大于0.5V，需要保证放大后的信号幅度大于0.5V。
电容C1、C3、C4、C5：耦合电容应选择得使其电抗在载波频率上远小于下一级的输入电阻或负载电阻。C1、C5为高频耦合电容，需满足 C5>>1/（2∗π∗f∗R4）C _5>>1/（2*π*f*R_4）C5>>1/（2∗π∗f∗R4）即C5远大于 78nf，取 C5=0.1μf，C2=0.1μf。C4为低频耦合电容，同理选10μf即可。旁路电容 C3的目的是在载波频率 f上将原本流经 R12 的绝大多数频率的电流短路，即容抗远小于电阻值。 C3>>1/(2∗π∗f∗R12)C_3>>1/(2*π*f*R_{12})C3>>1/(2∗π∗f∗R12). C3远大于 4nf 即可，取 C3=0.1μf 满足要求。

三种失真的分析

载波信号输入过大

调制信号输入过大

电位器不在中间，两管脚直流电位不同

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