Flash 系列：Nor/Nand/OneNand

NAND Flash和NOR Flash是目前市场上两种主要的非易失闪存芯片。

与NOR Flash相比，NAND Flash在容量、功耗、使用寿命等方面的优势使其成为高数据存储密度的理想解决方案。NOR Flash的传输效率很高，但写入和擦除速度较低；

而NAND Flash以容量大、写速度快、芯片面积小、单元密度高、擦除速度快、成本低等特点，在非易失性类存储设备中显现出强劲的市场竞争力。

结构：NOR Flash为并行，NAND Flash为串行。

总线：NOR Flash为分离的地址线和数据线，而NANDFlash为复用的。

尺寸：典型的NAND Flash尺寸为NOR Flash尺寸的1／8。

坏块：NAND器件中的坏块是随机分布的，需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。

位交换：NAND Flash中发生的次数要比NOR Flash多，建议使用NAND闪存时，同时使用EDC／ECC算法。

使用方法：NOR Flash是可在芯片内执行(XIP，eXecute In Place)，应用程序可以直接在FIash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中；而NAND Flash则需I／O接口，因此使用时需要写入驱动程序。

通过以上的分析和比较，NAND Flash更适合于大容量数据存储的嵌入式系统。

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第三种类型的闪存是OneNAND闪存，由Samsung开发，支持更快速数据吞吐和更高的密度，这两点是满足高分辨率摄影、视频和其他媒体应用的两个主要要求。

OneNAND可看作NOR和NAND技术的一种混合。从本质上来讲，一个单独的OneNAND芯片集成了一个NOR闪存接口，NAND闪存控制器逻辑、一个NAND闪存阵列，以及高达5 KB的缓冲RAM。至于速度，它能以高达108 MB/s的持续读数据率传输。

OneNAND器件有两种类型：muxed和demuxed。对于muxed型，地址引脚和数据引脚结合在一起，而demuxed型芯片这两个引脚是分开的。当关注的是减少引脚数时，选择muxed OneNAND可能好一些。另外，muxed OneNAND只工作在1.8V，demuxed的密度较低，不到1 Gbit，demuxed有1.8V 和3.3V两种选择。如果muxed或demuxed器件的密度超过1 Gbit，则只能选择1.8V的工作电压。

总之，NOR闪存适合代码存储，就是说，固件、器件应用等，而NAND闪存处理存储量大的类似于硬盘驱动的例行工作。OneNAND闪存两个优点都具备，它能胜任代码和海量数据存储，同时效率更高。

NAND 闪存芯片的工作电压为3.3V 或5V，采用与NOR器件相同的隧道释放工艺来擦除数据。写数据时，隧道注入，即量子隧道效应也就是大家知道的Fowler-Nordheim隧道效应，是一种将电荷载流子通过氧化物绝缘体注入浮置栅极的方法。

目前，1 GB和2 GB容量已经替代了256MB和更低容量的存储卡。USB闪存驱动器---亦称拇指驱动器和/或袖珍驱动器---也一样。总的来说，闪存有五个明显的优点：

（1）体积小，随着时间的推移，很可能会进一步缩小；

（2）低功率；

（3）高存储容量，随着时间的推移，将以指数提高；

（4）如果封装合适，几乎不会毁坏（没有活动部件）；

（5）越来越便宜。闪存的路线图显然，闪存是那些将在未来陪伴我们一段时间的技术之一。从该技术演化而来的新型存储技术也露出了曙光。就在3个月前，多媒体卡协会（MMCA，MultiMediaCard Association)和JEDEC固体技术协会（JEDEC Solid State Technology Association）同意选择eMMC作为建立在共同的MMCA/JEDEC MMC规范之上的，为嵌入式闪存应用的嵌入式存储器模块产品的商标和产品种类。

eMMC标签详细给出了采用一个MMC接口、闪存和一个控制器，由嵌入式存储系统组成的架构，所有这些都封装在一个小型BGA封装中。该架构有望在众多的产品中赢得用户的喜爱，这些产品包括工业产品、手机、导航系统、媒体播放器和其他便携式电子设备。该系统是在MMC系统规范v4.1/4.2和JEDEC BGA封装标准的基础上，规定了速度高达52 MB/s的接口。重要的是，该标准支持1.8V 或3.3V的接口电压，克服了目前某些闪存受工作电压限制的问题。

由于有eMMC，主机系统能通过一个MMC接口协议总线访问所有的大容量存储器，包括存储卡和硬盘驱动器。该系统架构的灵活性远远超过仅基于其他存储器卡标准的架构的灵活性。因此，标准化的eMMC协议接口保持了复杂性，如NAND闪存的功能差异，对于主机不可见。另外，因为eMMC是一个工业标准，所以存储器元件有多个来源。此外发展势头良好，QUALCOMM公司已经宣布其采用三星公司的OneNAND闪存，用于所有的即将推出的移动基站调制解调器芯片组。已经出现了多种支持该读/写速度最快的存储器的芯片组，更多新兴多媒体产品对其支持将很普遍。

基于OneNAND的芯片组的主要目标将是3G电话。写速度为17MB/s的这种存储器能保证对超过HSDPA规定的连续数据流无线下载。除多媒体手机设计外，OneNAND肯定是混合硬盘用非易失性缓冲器一个有价值的选择。目前，采用60nm工艺技术的芯片可提供高达2 Gb的存储容量，并且在今年晚些时候，将可能出现采用50nm工艺技术容量达4Gb的芯片。

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