SC8205A耐压20V双N 沟道增强型 MOS 场效应管

20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2.0A = 75mΩ
RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.5A = 38mΩ
RDS(ON), Vgs@4.0V, Ids@4.5A = 30mΩ
RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.5A = 28mΩ
RDS(ON), Vgs@10V, Ids@5.0A = 25mΩ
特点
 专有的先进平面技术
 高密度超低电阻设计
 大功率、大电流应用
 理想的锂电池应用
 封装形式：TSSOP-8
8205A/TSSOP-8
1 2 3 4 5 6
A
B
C
D
1 2 3 4 5 6
D
C
B
A
Title
Size Number Revision
B
Date: 16-Apr-2013 Sheet of
File: E:\E盘\规格书\规格图\规格图-0\ZBO\SC8205.ddDbrawn By:
D1/D2
S1
S1
G1 G2
S2
S2
1 D1/D2
2
3
4 5
6
7
8
1 2 3 4 5 6
A
B
C
D
1 2 3 4 5 6
D
C
B
A
Title
Size Number Revision
B
Date: 16-Apr-2013 Sheet of
File: E:\E盘\规格书\规格图\规格图-0\ZBO\SC8205.ddDbrawn By:
Gate1
Source1
Drain
Gate2
Source2

SC8205A耐压20V双N 沟道增强型 MOS 场效应管相关推荐

FS8205A低压20V N 沟道增强型 MOS 场效应管
FS8205A低压20V N 沟道增强型 MOS 场效应管,20V N 沟道增强型 MOS 场效应管 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET RDS(ON), Vg ...
单P沟道低压MOS场效应管
单P沟道低压MOS场效应管型号沟道 VDS (Max) VGS VTH (Typ) ID (Max) IDM RDS(on) (Max) 封装直接替代型号 HM2301/A P沟道 -20V - ...
单N沟道低压MOS场效应管
单N沟道低压MOS场效应管型号沟道 VDS (Max) VGS VTH (Typ) ID (Max) IDM RDS(on) (Max) 封装直接替代型号 HM2302/A N ...
低成本高耐压20V移动电源方案IC首选钰泰ETA9870足5V2.4A输出
深圳市展嵘电子有限公司有需要的上帝可联系小陈:136-6225-3950 : 3412-1522-98 产品简介 ETA9870是5V-2.4A充放电的移动电源芯片,自动负载启动,内置20V耐压能力 ...
WPM2015 P沟道增强型MOS场效应晶体管WILLSEM
单P沟道,-20V,-2.4A,功率MOSFET 描述 WPM2015是P沟道增强型MOS场效应晶体管.使用先进的沟槽技术和设计,提供卓越的RDS(ON)低栅极电荷.该设备适合使用在DC-DC转换 ...
硬件基础：MOS管工作区间及开通过程分析——以N沟道增强型MOS为例
N沟道增强型MOS管的结构如图1所示,P型衬底上制作两个高掺杂的N区,引出作为漏极D和源极S,衬底上再制作一块绝缘层,绝缘层上在制作一层金属电极,引出作为栅极G,即构成了常见的N沟道增强型MOS管.一 ...
WPM2026 P沟道增强型MOS场效应晶体管
单P沟道,-20V,-3.2A,功率MOSFET 说明 WPM2026是P沟道增强型MOS场效应晶体管. 使用先进的沟槽技术和设计,提供卓越的RDS(ON) 低栅极电荷. 该设备适合使用在DC-DC转 ...
绝缘栅型n沟道场管_N沟道增强型绝缘栅场效应管的工作原理
MOSFET是利用栅源电压的大小,来改变CAT24WC256WI半导体表面感生电荷的多少,从而控制漏极电流的大小. N沟道增强型绝缘栅场效应管的工作原理,如图8-7所示. >当Ucs =0,在漏 ...
WPM3012-3/TR单P沟道增强型MOS 场效应晶体管WILLSEM
单P沟道,-30V,-3.1A,功率MOSFET 描述 WPM3012是P沟道增强型MOS场效应晶体管. 使用先进的沟槽技术和设计,提供卓越的RDS(ON)低栅极电荷. 该设备适合使用在DC-DC ...

SC8205A耐压20V双N 沟道增强型 MOS 场效应管

SC8205A耐压20V双N 沟道增强型 MOS 场效应管相关推荐

最新文章

热门文章