ASEMI高压MOS管7N60参数，7N60封装，7N60规格

编辑-Z

ASEMI高压MOS管7N60参数：

型号：7N60

漏极-源极电压（VDS）：600V

栅源电压（VGS）：30V

漏极电流（ID）：7A

功耗（PD）：125W

储存温度（Tstg）：-55 to 150℃

静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：1.2Ω

二极管正向电压（VSD）：1.5V

输入电容（Ciss）：1460pF

二极管反向恢复时间（trr）：648nS

7N60封装规格：

封装：TO-220

总长度：28.57mm

本体长度：15.87mm

宽度：10.66mm

高度：5.0mm

脚间距：2.54mm

7N60特征：

7A，600V，RDS（ON）=1.2Ω@VGS=10V/3.5A

低栅极电荷

低Ciss

快速切换

100%雪崩测试

改进的dv/dt能力

ASEMI高压MOS管7N60参数，7N60封装，7N60规格相关推荐

ASEMI高压MOS管ASE65R330参数，ASE65R330图片
编辑-Z ASEMI高压MOS管ASE65R330参数: 型号:ASE65R330 漏极-源极电压(VDS):650V 栅源电压(VGS):20V 漏极电流(ID):12.5A 功耗(PD):30.9 ...
ASEMI低压MOS管ASE50N03参数，ASE50N03封装
编辑-Z ASEMI低压MOS管ASE50N03参数: 型号:ASE50N03 漏极-源极电压(VDS):30V 栅源电压(VGS):20V 漏极电流(ID):50A 功耗(PD):60W 储存温度( ...
ASEMI低压MOS管20N06参数，20N06体积，20N06大小
编辑-Z ASEMI低压MOS管20N06参数: 型号:20N06 漏极-源极电压(VDS):60V 栅源电压(VGS):20V 漏极电流(ID):20A 功耗(PD):45W 储存温度(Tstg): ...
ASEMI低压MOS管50N06S，50N06S图片，50N06S尺寸
编辑-Z ASEMI低压MOS管50N06S参数: 型号:50N06S 漏极-源极电压(VDS):60V 栅源电压(VGS):25V 漏极电流(ID):50A 功耗(PD):85W 储存温度(Tstg ...
7N60-ASEMI高压MOS管7N60
编辑:ll 7N60-ASEMI高压MOS管7N60 型号:7N60 品牌:ASEMI 封装:TO-220AB 最大漏源电流:7A 漏源击穿电压:600V RDS(ON)Max:1.2Ω 引脚数量:3 ...
MOS管25N120参数，ASEMI场效应管25N120应用
编辑-Z 25N120在TO-220封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管.25N120的脉冲二极管正向电流(IFM)为150A,G-E漏电流(IGES)为250nA,其工作时耐温度范围为-55~1 ...
ASEMI超快恢复二极管ES1J参数，ES1J封装，ES1J规格
编辑-Z ASEMI超快恢复二极管ES1J参数: 型号:ES1J 峰值重复反向电压(VRRM):600V RMS反向电压(VRMS):420V 平均整流正向电流(IF):1A 非重复峰值浪涌电流(IF ...
IPB60R099CP-ASEMI代理英飞凌高压MOS管IPB60R099CP
编辑:ll IPB60R099CP-ASEMI代理英飞凌高压MOS管IPB60R099CP 型号:IPB60R099CP 品牌:英飞凌封装:TO-263 最大漏源电流:31A 漏源击穿电压:600V ...
16N65-ASEMI高压MOS管16N65
编辑-Z 16N65在TO-220封装里的静态漏极源导通电阻(RDS(ON))为0.55Ω,是一款N沟道高压MOS管.16N65的最大脉冲正向电流ISM为64A,零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA ...

ASEMI高压MOS管7N60参数，7N60封装，7N60规格

ASEMI高压MOS管7N60参数，7N60封装，7N60规格相关推荐

最新文章

热门文章