MOS管25N120参数，ASEMI场效应管25N120应用
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25N120在TO-220封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。25N120的脉冲二极管正向电流(IFM)为150A，G-E漏电流(IGES)为250nA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。25N120的栅极-发射极电压(VGES)为±20V。25N120的电性参数是：二极管连续正向电流(IF)为25A，集电极-发射极电压(VCES)为1200V，二极管正向电压降(VFM)为2.0V，反向恢复时间(trr)为235NS。
25N120参数描述
型号：25N120
封装：TO-220
特性：低功耗场效应管
电性参数：25A 1200V
二极管连续正向电流(IF)：25A
脉冲二极管正向电流(IFM)：150A
集电极-发射极电压(VCES)：1200V
栅极-发射极电压(VGES)：±20V
二极管正向压降(VFM)：2.0V
G-E漏电流(IGES)：250nA
反向恢复时间(trr)：235NS
工作温度：-55~+150℃
引线数量：3
25N120插件封装系列。它的本体长度为19.9mm，加引脚长度为39.9mm，宽度为15.6mm，高度为4.8mm，脚间距为5.45mm。25N120是NPT沟槽技术、正温度系数，有极强的雪崩能力，该器件非常适合谐振或软开关应用如感应加热、微波炉等
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ASEMI产品广泛应用于：开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。
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