ASEMI高压MOS管ASE65R330参数,ASE65R330图片
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ASEMI高压MOS管ASE65R330参数:
型号:ASE65R330
漏极-源极电压(VDS):650V
栅源电压(VGS):20V
漏极电流(ID):12.5A
功耗(PD):30.9W
储存温度(Tstg):-55 to 150℃
静态漏源导通电阻(RDS(ON)):330mΩ
二极管正向电压(VSD):1.1V
输入电容(Ciss):470pF
二极管反向恢复时间(trr):214nS
ASE65R330封装图片:
封装:TO-220F
总长度:28.8mm
本体长度:15.87mm
宽度:10.16mm
高度:4.7mm
脚间距:2.54mm
ASE65R330特征:
超低RDS(ON)=330mΩ@VGS=10V。
超低栅极电荷,Qg=27.2nC典型值。
快速切换能力
具有更好EAS性能的稳健设计
EMI改进设计
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