ASEMI超快恢复二极管ES1J参数，ES1J封装，ES1J规格

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ASEMI超快恢复二极管ES1J参数：

型号：ES1J

峰值重复反向电压（VRRM）：600V

RMS反向电压（VRMS）：420V

平均整流正向电流（IF）：1A

非重复峰值浪涌电流（IFSM）：30A

最大瞬时正向电压（VF）：1.7V

最大瞬时反向电流（IR）：5uA

最大反向恢复时间（trr）：35NS

典型结电容（CJ）：10pF

最大热阻，结到外壳（RθJC）：35℃/W

工作结温和存储温度（TJ, Tstg）：-65~ +150℃

ES1J封装规格：

封装：SMA

总长度：5.28mm

本体长度：4.6mm

引脚长度：0.34mm

宽度：2.9mm

高度：2.62mm

脚宽度：1.6mm

ES1J特征：

玻璃钝化模具结构

非常适合自动装配

低正向压降，高效率

浪涌过载额定值达到30A峰值

低功耗

超快恢复时间

ES1J机械数据：

外壳：SMA/DO-214AC，模压塑料

端子：镀焊，可焊符合MIL-STD-750

极性：阴极带或阴极槽口

标记：型号

重量：0.064克（约）

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