【数字电子技术 Digital Electronic Technology 4】——门电路笔记之 TTL门电路详细剖析

文章目录

1.1 三极管反相器
- 1.1.1 双极性三极管反相器的动态开关特性
- 1.1.2 （重要！）TTL反相器的电路结构和工作原理
- 1.1.3 电压传输特性
- 1.1.4 TTL反相器的输入端负载特性（重要！）
1.2 其他类型的TTL门电路
- 1.2.1 TTL与非门电路
- 1.2.3 TTL或非门电路
- 1.2.4 TTL与或非门电路
- 1.2.5 TTl异或门电路
- 1.2.6 集电极开路输出的门电路（OC门）
- 1.2.7 三态输出门电路(TS门）

TTL门电路是三极管-三极管逻辑的简称，在数电中，我们也经常利用三极管的开关特性

在数电中，我们想让三极管工作在 截止区或者 饱和区
工作在截止区时，就有： uBE<uonu_{BE} < u_{on}uBE<uon，为了使三极管深度截止，我们一般令 uBE−>0u_{BE} -> 0uBE−>0
工作在饱和区时： iB≥iBSi_B ≥ i_{BS}iB≥iBS -> uCE≈0u_{CE} ≈ 0uCE≈0，我们一般令 uBEu_{BE}uBE为高电平

下面，我们先来看看三极管的开关等效电路，然后再分析其他东西：

当三极管截止时，我们就可以看看(a)图，相当于开关与b, c极都不接触
当三极管饱和导通时，就是(b)， (c )图，(b)图用于定量计算，(c )用于定性分析：当三极管饱和导通时，BE之间的电压就是发射结的导通电压0.7V，然后，C极和E极我们近似看成是由一个开关直接相连了（因此，在定性分析时，当三极管导通，我们认C,E等电位）

1.1 三极管反相器

接下来，我们看看三极管反相器：

输入端vIv_IvI为低电平时，三极管截止，说明v0v_0v0的电压就等于VCCV_{CC}VCC，即输出为高电平
当输入端vIv_IvI为高电平时，三极管饱和导通，BE的电压为0.7V，C，E之间相当于用开关直接连接，那么，v0v_0v0 = 0V，输出为低电平

1.1.1 双极性三极管反相器的动态开关特性

1.1.2 （重要！）TTL反相器的电路结构和工作原理

我们先来看看该电路的结构：

我们可以知道，该电路分为了输入级，倒向级还有输出级。

设电源电压VCCV_{CC}VCC = 5V，输入信号的高，低电平分别为VIHV_{IH}VIH = 3.4V，VILV_{IL}VIL =
0.2V，三极管的开启电压为VONV_{ON}VON = 0.7V

下面我们来分析一下：

当输入信号vIv_IvI为低电平0.2V时，由于T1的基极是高电平，所以T1导通了，那么由上面的分析知：T1的C,E两级相当于直接相连，那么T1的C极的电位就等于T1E极的电位等于0.2V.但是，对于T2，问题来了，T2的基极电位为0.2V，如果T2想导通，由于开启电压为0.7V，那么T2基极的电压就一定要比0.9V还要大才行，换句话说，T1的集电极电压不足以驱动T2导通，因此，T2，T5都截止，又由于T4的基极是高电位，因此，T4导通，那么，v0v_0v0即输出为高电平
当输入信号vIv_IvI为高电平3.4V时，由于一开始T1的基极是直接和VCCV_{CC}VCC相连的，因此，在一开始的阶段T1的基极电位还是会高于T1的发射极电位的，所以现在T1暂时导通，那么所以T1的C极电位就等于3.4V，3.4V是足以驱动T2，T5导通的。
但是，当T2，T5导通之后，T2，T5的BE之间的电压都等于了0.7V，这就导致T1集电极的电位被钳在了1.4V，因此，T1反向导通（大家还记得三极管工作时集电结，也就是BC那个PN结是反偏的，原因就是C极的电压大于B极的电压，但是如果B极电压反过来大于了C极电压，就说明这个PN结正偏导通，三极管反向导通），那么此时，T1的B,C极之间的电压为0.7V，那么，T1的基极电位就被钳在了：0.7V +1.4V = 2.1V
大家有没有发现：在一开始T1的基极电压是大于发射极的，现在基极电压2.1V却小于发射极电压3.4V了，说明T1最终还是截止了！
这个是一方面，另一方面，由于T2，T5还是导通了，T2的uCEu_{CE}uCE = 0.3V（虽然之前说在定性分析的时候可以看成C,E等电位，但现在我们要做定量计算），T5的uBEu_{BE}uBE = 0.7V，所以，T4的基极电位就等于0.3V + 0.7V = 1.0V
但是：
T4要想导通，它的基极电压要是多大呢？假设T4导通，那么电流流过D2（0.7V)，还有T5的uCEu_{CE}uCE = 0.3V,因此T4基极的电压至少为：0.7V + 0.7V + 0.3V = 1.7V
很显然，现在T4的基极电压是达不到标准的，因此，T4截止
所以，v0v_0v0输出低电平

对于上面这个电路，我们不难发现，T4和T5总有一个是截止，一个是导通的

1.1.3 电压传输特性

AB段（截止区）：T4导通，T2，T5截止，输出高电平
BC段（线性区）：T5截止，但T2导通，并且工作在放大区
CD段：T4截止，T2，T5同时导通
DE段（饱和区）

CMOS门短路的传输特性比TTL门电路的要好一些

1.1.4 TTL反相器的输入端负载特性（重要！）

对于一般的TTL门电路来说，当输入端通过负载接地时：

若负载≤0.7KΩ；则相当于这个输入端输入为低电平
若负载≥1.5KΩ；则相当于这个输入端输入为高电平

特别注意：CMOS门电路不存在这种特性！！！

小练习：写出下面TT门电路的逻辑关系式：

Y1 = (AB0)’ = 1
Y2 = (AB1)’ = (AB)’
Y3 = ((0A)+ (B1))’ = (0 + B)’ = B’

1.2 其他类型的TTL门电路

1.2.1 TTL与非门电路

设输入的低电平电压为0.2V，输出的高电平电压为3.4V
我们来分析一下：

当A,B均为低电平时，T1显然导通；同时，T2B极的电位为0.2V，这将导致T2和T5均截止，又由于T4的基极为高电位，因此T4导通，输出为高电平
然后，我们发现：只要A和B任意一个输入为低电平，T1都会导通，然后得到一样的结果
最后，如果A和B均为高电平3.4V，我们来看看，由于一开始T1的基极电压还是高于3.4V的，因此在一开始，T1正向导通，那么T2基极的电位就等于3.4V，这足以驱动T2和T5导通。但是，当T2和T5导通之后，T2基极的电位就被钳在了0.7V+0.7V = 1.4V，此时，T1的基极电位高于了T1集电极的电位，因此T1反向导通，这将导致T1基极的电位被钳在了1.4V + 0.7V = 2.1V < 3.4V，最终T1截止
由于T2，T5导通，导致T4基极的电位被钳在了0.3V + 0.7V = 1V，不足以驱动T4和D3共同导通，换句话说，也即是上面的支路断了，输出低电平

因此，真值表为：

A	B	Y
0	0	1
0	1	1
1	0	1
1	1	0

表示为Y = (AB)’

说明：在习题中遇到像上图这种多发射极三极管的情况，只要输入端有一个为低电平输入，那么该三极管就会导通，只有当输入全是高电平时，三极管会截止（但是注意一开始是导通的，同时注意反向导通的情况）另外，大家要记得TTL与非门的两个输入端是相关的！

1.2.3 TTL或非门电路

我们来分析一下：

当A为高电平时，B暂且不看哈：由于T1的基极和VCCV_{CC}VCC连接，所以B极电压还是会高于A的电压，所以T1暂时导通，这就使得T2的基极电位等于3.4V，T2导通，使得T2的C和E极相通，由于T2的C极连着VCCV_{CC}VCC，所以是高电平，因此，顺着E极传下来之后使得T5的基极电位为高电平，T5导通，输出为低电平
当B为高电平时，A暂且不看：同理,由于T1’的基极和VCCV_{CC}VCC连接，所以B极电压还是会高于B的电压，所以T1’暂时导通，这就使得T2’的基极电位等于3.4V，T2’导通，由于T2‘的C极和VCCV_{CC}VCC相连，所以导致T2’的E极也是高电平，使得T5的基极为高电平，T5导通，输出为低电平
当A，B同时为低电平时，T1和T1‘同时导通，使得T2的基极，T2’的基极均为低电平，T2和T2‘均截止，但是我们看到，由于T4的基极和VCCV_{CC}VCC相连，所以T4的基极为高电平，T4导通，而T5的基极连着T2和T2’的发射极，为低电平，所以T5截止，输出为高电平

真值表为：

A	B	Y
1	0	0
0	1	0
1	1	0
0	0	1

逻辑表达式为Y = (A + B)’

Tips:对比上面TTL与非门来看，TTL或非门两个输入端是互不相关的

1.2.4 TTL与或非门电路

有了之前的分析基础，这一次我们不打算逐个情况的分析，而是换一种更加灵活快捷的思维去分析一下：(我们惊喜地发现这个电路的输入端和TTL与非门很接近）
我们发现A，B只要至少有一个输入是低电平，那么就会导致T1的导通，进而导致T2截止，T5截止，输出为高电平
恰巧C和D的关系也是这样
因此，只有当AB全是高电平或者CD全是低电平的情况下，T2或者T2‘才会导通，进而T5才会导通，输出低电平
那么，这就是TTL与或非门：Y = (AB + CD)’

1.2.5 TTl异或门电路

这里我们也来分析一下：我们发现输入端是一个双发射极三极管，A与B之间只要有一个是低电平，那么T1导通，我们假设A = 1，B = 0，（低电平电压为0.2V，高电平电压为3.4V）
那么此时，T3导通，导致T5基极为高电平，T5和下方二极管导通；之后T5的集电极也就是T7的基极电位就被钳位在0.3V+0.7V = 1.0V；但是1.0V的电压不足以驱动T7和T9同时导通，因此T7截止，又T1导通，T6的基极电位变为低电平，T6也截止，因此最终T9也截止，T8导通，输出高电平
A = 0，B = 1的分析类似
而当A = 1，B = 1时，T6和T9同时导通，然后使得T8的基极电位被钳位在1.0V，不足以导通T8和下面的二极管，因此，T8截止，输出低电平

A	B	Y
0	0	0
0	1	1
1	0	1
1	1	0

1.2.6 集电极开路输出的门电路（OC门）

单个的OC门的逻辑功能相当于与非门，它正常工作时，需要在Y端接电源VCC2V_{CC2}VCC2以及上拉电阻RLR_LRL

另外，多个OC门并联可以实现线与的功能：

直接将输出端连起来就相当于“与”的功能
上图的逻辑表达式可以写成：Y = (AB)’(CD)’ = (AB + CD)’

下面，我们来看看上拉电阻范围的计算：

与非门在计算上拉电阻时，电流流出的数目要看与非门的数目而不是端的数目！！

在TTL门电路中计算RLR_LRL，都是以电压作为方程的驱动：
【1】当输出为高电平时，电流的流向如下图所示：

我们想要求我们输出的电压比输出高电平的最低电压还要高，因此有：VCC−RL(nIOH+mIIH)≥VOH(min)即RL≤VCC−VOH(min)nIOH+mIIHV_{CC} - R_L(nI_{OH} + mI_{IH}) ≥ V_{OH(min)}\\ 即R_L ≤ \frac{V_{CC} - V_{OH(min)}}{nI_{OH} + mI_{IH}}VCC−RL(nIOH+mIIH)≥VOH(min)即RL≤nIOH+mIIHVCC−VOH(min)
其中，n是输出端的数目，m是负载端的数目（例如一个与非门有两个输入端）
【2】输出为低电平的情况：

当输出为低电平时，我们想要输出的低电平比输出低电平的最高电平要小，我们考虑极端情况，假设所有电流都从一个与非门流入：
VCC−RL(IOL−m′IIL)≤VOL(min)即：RL≥VCC−VOL(min)IOL−m′IILV_{CC} - R_L(I_{OL} - m'I_{IL}) ≤ V_{OL(min)}\\ 即：R_L ≥ \frac{V_{CC} - V_{OL(min)}}{I_{OL} - m'I_{IL}}VCC−RL(IOL−m′IIL)≤VOL(min)即：RL≥IOL−m′IILVCC−VOL(min)
特别注意：上式子中的m’是输出端与非门的个数

1.2.7 三态输出门电路(TS门）

该电路的输出状态，除了高低电平外，还有一种高阻态情况
T1管只要有一个输入为低电平，那么T1就会导通。当EN’ = 1时，经过反向变成低电平0.2V，T1导通，使得T2的基极变为低电平，T2和T5截止；然后由于二极管D导通，因此T4的基极就被钳位在0.2V+0.7V = 0.9V，而0.9V不足以驱动T4和它下面的二极管同时导通，因此，T4和T5同时截止，处于高阻态状态

Tips:EN’表示该三态门是低电平有效（即EN‘为低电平时，不影响电路的正常工作状态（与非门）
EN表示三态门是高电平有效

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