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2013年9月份考试数字电子技术第二次作业

一、填空题(本大题共10分,共 4 小题,每小题 2.5 分)

1. 动态随机存储器具有 ______ 、 ______ 和 ______ 操作,掉电时数据 ______ 。

2. 可编程只读存储器是利用叠栅MOS管的浮栅 ______ 存储0或1的。 3. (11100111.001)2 = ( ______ )10 = ( ______ )16

4. 按取样、 ______ 、 ______ 和编码4个步骤实现模数转换。在 ______ 电路中完成取样和保持,实现模拟量的时间离散化。在保持期内完成 ______ ,实现对模拟量的幅值离散化。

二、判断改错题(本大题共10分,共 2 小题,每小题 5 分) 1. 一般TTL门电路的输出端可以直接相连,实现线与。

2. 判断时序逻辑电路能否自启动可通过判断该电路是否存在有效循环来实现。

三、绘图题(本大题共10分,共 2 小题,每小题 5 分)

1. 画出逻辑函数的实现电路。

2. 在图所示TTL门电路中,已知门电路输出的高电平UOH=3V,输出的低电平UOL=0.3V,输入A、B、C的波形如图(b)所示,试画出Y的波形图。

四、计算题(本大题共30分,共 5 小题,每小题 6 分) 1. 画出由512字×4位RAM构成的1024字×4位的存储体。

2. 一个4位R-2R倒T型电阻D/A转换器,当输入数字量为0001时,对应的输出模拟电压为0.02V,试计算当数字量为1101时输出电压为多少伏? 3. 若A/D转换器(包括取样-保持电路)输入模拟信号的最高变化频率为

10kHz,试说明取样频率的下限是多少。完成一次A/D转换所用时间的上限应为多少?

4. 分析图所示电路的功能。

5. 用公式法将函数化简为最简与或表达式。

五、简答题(本大题共10分,共 4 小题,每小题 2.5 分) 1. 为什么TTL非门的工作速度较快? 2. 简述PMOS的开关作用。 3. 闪存是如何写入数据的? 4. 简述组合逻辑电路的特点。

六、分析题(本大题共20分,共 4 小题,每小题 5 分)

1. 二极管ROM电路如下图所示。已知A1A0取值为00、01、10、11时,地址译码器输出W0~W3分别出现高电平。根据电路结构,说明内存单元0~3中的内容是什么?图中“·”表示如虚线框所示的二极管连接。

2. 主从RS触发器的逻辑符号和输入波形如图所示。设初始状态Q=0。画出

端的波形。

3. 试分析题图(a)、(b)所示电路的逻辑功能。写出Y1、Y2的逻辑表达式。图中的门电路均为CMOS门电路,这种连接方式能否用于TTL门电路?

4. 试画出图所示三态门和TG门的输出电压波形。

七、设计题(本大题共10分,共 1 小题,每小题 10 分)

设计一个电话机信号控制电路。电路有I0(火警)、I1(盗警)和I2(日常业务)三种输入信号,通过排队电路分别从Y0、Y1、Y2输出,在同一时间只能有一个信号通过。如果同时有两个以上信号出现时,应首先接通火警信号,其次为盗警信号,最后是日常业务信号。试按照上述轻重缓急设计该信号控制电路。要求用集成门电路7400(每片含4个2输入端与非门)实现。

答案:

一、填空题(10分,共 4 题,每小题 2.5 分) 1.

参考答案:

读;写;刷新;丢失 解题方案:

评分标准: 2.

参考答案: 有无电荷 解题方案:

评分标准: 3.

参考答案: 231.125 ,E7.2 解题方案:

评分标准: 4.

参考答案:

保持;量化;取样和保持;量化和编码 解题方案:

评分标准:

二、判断改错题(10分,共 2 题,每小题 5 分) 1.

参考答案: 错

解题方案:

评分标准: 2.

参考答案: 错

解题方案:

评分标准:

三、绘图题(10分,共 2 题,每小题 5 分) 1.

参考答案:

逻辑电路图如下图所示

解题方案:

评分标准: 2.

参考答案:

根据图写出输出逻辑表达式:

解题方案:

评分标准:

四、计算题(30分,共 5 题,每小题 6 分) 1.

参考答案:

电路如图所示。

解题方案:

评分标准: 2.

参考答案:

当数字量为1101时,输出电压为0.26V。 解题方案:

评分标准: 3.

参考答案: 取样频率的下限:

完成一次A/D转换所用时间的上限解题方案:

评分标准: 4.

参考答案:

解题方案:

评分标准: 5.

参考答案:

解题方案:

评分标准:

五、简答题(10分,共 4 题,每小题 2.5 分) 1.

参考答案:

无论输出低电平或是高电平,TTL非门的推拉输出级输出电阻均很小,对负载电容的冲放电时间常数小,输出电平转换较快。 解题方案:

评分标准: 2.

参考答案:

解题方案:

评分标准: 3.

参考答案:

在闪存中源极受编程电路的控制。读写时源极接地;擦除时源极接较高电压。由于存储阵列的闪存MOS管的源极全部连接在一起,利用隧道效应,可以实现众多存储单元的批量擦除。闪存的数据改写同样遵循先擦除后写入的原则。通常先批量擦除欲改写的众多存储单元,然后以字为单位写入数据。 解题方案:

评分标准: 4.

参考答案:

组合逻辑电路具有下述特点: ① 组合电路是由逻辑门表示的数字器件和电子元件组成的电路,电路中没有反馈,没有记忆元件; ② 组合电路实现输入输出间的某种逻辑关系,任一时刻的输出状态仅取决于该时刻各输入的状态组合,而与时间变量无关。 解题方案:

评分标准:

六、分析题(20分,共 4 题,每小题 5 分) 1.

参考答案:

0、1、2、3单元的存储数据分别是:1011,0110,1101,0111。 解题方案:

评分标准: 2.

参考答案:

主从RS触发器的触发时刻时在CP的下降沿,其它的特性方程是: 其波形如图所示:

解题方案:

评分标准: 3.

参考答案:

解题方案:

评分标准: 4.

参考答案:

(2)其波形图如图所示。

解题方案:

评分标准:

七、设计题(10分,共 1 题,每小题 10 分) 0.

参考答案:

列出真值表如表所示:

(3)画出逻辑图如图所示。

解题方案:

评分标准:

2013年9月份考试数字电子技术第二次作业.doc

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