gmid设计方法进行二级运放的设计与仿真
该文章使用gmid设计方法进行二级运放的设计与验证
文章目录
- 设计要求
- 一、设计原理图
- 二、设计步骤
- 1.确定补偿电容Cc的大小
- 2.在满足压摆率的情况下,按最大功耗分配电流
- 3.根据GB确定M1和M2的跨导gm1,2
- 4. 利用gmid设计方法确定M1、M2的尺寸
- 5.进一步确定M3、M4的尺寸
- 6.第二级运放M6、M7尺寸的设计
- 7.其余mos管尺寸的确定
- 三、仿真验证
- 1.开环增益和相位的仿真
- 2.验证功耗与压摆率
- 3.验证输出摆幅
- 总结
设计要求
设计二级运放,设计指标如下表所示:
一、设计原理图
第一级选择单端输出的全差动电路提供较高的增益,第二级选择共源极放大电路上下二极管各消耗一个过驱动电压Vod,满足输出电压摆幅要求。
二、设计步骤
1.确定补偿电容Cc的大小
Cc取值通常为负载电容CL的0.22倍左右,暂取Cc=0.44pF,后续可根据相位裕度进行调整2.读入数据
2.在满足压摆率的情况下,按最大功耗分配电流
由P=VDD*Isum≤1mW得Isum≤555uA
由SR=I5/CL>3V/µs得I5>6uA
根据上述两个条件进行电流的分配I5=80uA,I7=400uA,I8=40uA
3.根据GB确定M1和M2的跨导gm1,2
4. 利用gmid设计方法确定M1、M2的尺寸
对增益Av进行解算。整体的增益是1000,那就令第一级的增益为100,第二级的增益为20
为了让压摆率满足需求,gm/id就不能取太大,以此来保证电流不会太小,这里gm/id取值为12。观察晶体管的gmro - gmoverid曲线,找出在gm/id=12时,哪个沟道长度L下的增益大于100,看图可知L>400nm即可,最终确定L1,2=500nm。
再观察idoverw - gmoverid曲线,得到gm/id取值为12下的电流密度约为7
5.进一步确定M3、M4的尺寸
步骤和前面确定NMOS的尺寸一样,此时选取gm/id=8,gmro大于100时沟道长度应满足L≥400nm即可,最终确定L_3,4=1um。
观察L=1um下PMOS的idoverw - gmoverid曲线,得到gm/id取值为8下的电流密度约为3
6.第二级运放M6、M7尺寸的设计
第二级运放采用电流源负载的共源极。增益为20,由于第二级n管流过较大的电路,通过观察gmid曲线可知n管在栅长为180nm情况下即可满足本征增益40的要求,由于运放第二级流过较大的电流,故增加栅长,取L_7=500nm;为保证系统的稳定性和相位裕度,设计第二级运放输入管的跨导为第二级输入管跨导的10倍,
对第二级负载管M6来说,观察p管的gmid曲线,L=1um,gmid=8时,
由于宽长较大,由p管的gmro-gmid曲线可知L=180nm即可满足本征增益60的要求,故在保持M6宽长比不变的情况下减少W和L,取L6=500nm,W6≈66um
7.其余mos管尺寸的确定
由M8、M5、M7的电流镜匹配关系,以及功耗的要求I8≤50uA,取偏置电流Ibias=40uA,则L8=500nm,W8=5.7um,L5=500nm,W5≈11.4um
设计至此得到各管的尺寸如下表所示:
三、仿真验证
在进行相关指标的仿真之前,首要任务是确认运放的DC工作点、失调电压,而后基于该静态工作点搭建电路进行其余指标的仿真。
1.开环增益和相位的仿真
初始时设置补偿电容Cc=0.44pF相位裕度约为25°,为满足相位裕度60°的要求调整补偿电容Cc=2PF
输出波特图如图所示:运放开环增益为72dB(约4000倍),-3dB带宽约为9KHZ,单位增益带宽约为39MHz,相位裕度为60°,均满足了设计指标要求。
2.验证功耗与压摆率
运放工作时,总电流I_sum=I8+I5+I7=40uA+81uA+428uA≈550uA,VDD=1.8V,Pdiss<1mW,功耗满足设计要求
压摆率SR=I5/CL =81uA/2pF=40.5uA/V,满足压摆率要求。
3.验证输出摆幅
由tran分析的输入输出曲线可知:当输入为0-1.8V时,输出370mV-1.65V,基本满足输出范围0.3V-(VDD-0.3V)的要求。关于输出最低范围较高的问题,由于第二级运放电流较大而导致M7过驱动电压消耗的电压余度较大。
总结
设计运放时,不能盲目最求指标高。当指标太高时,会导致第一级的跨导gm较大,第二级的跨导会跟着变得非常大,面积增大后,寄生参数尤其是寄生电容也会跟着变得很大。一般来说,补偿电容Cc>0.22CL;在设计时要格外注意相位裕度,对于Cc的取值需要改变数值多仿真来确定最终值,使其相位裕度达到60°。
二级运放的设计到此就告一段落了,关于该运放的相关指标的验证仅展示一部分,例如还可以进行共模抑制比、电源抑制比以及噪声等的仿真。
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