运用gm/id法设计二级运放教程
关于gm/id设计方法的介绍,见下文连接台湾老师讲解,本文在复旦大学非常经典的二级运放手算教程基础上,没有用仿真教学固定VOD的方法,采用gmid法思路的设计。
The gmid methodology, a design guideline for two stage miller OP_哔哩哔哩_bilibili
先进工艺中的集成电路设计-gm/Id设计方法 - 知乎 (zhihu.com)
[工学]复旦大学模拟电路二级运放实例 - 豆丁网 (docin.com)
要求:设计一款带宽为100MHZ;增益为80db;相位裕度>60°,压摆率≥30v/us;静态功耗<2mw的二级运放。负载电容为3pf
如下图所示,采用了一款经典的二级cmos补偿运算跨导放大器。
1.确定gm/id的值
一般gm/id选择范围是8-12。考虑到噪声影响 ,作为运放管gm/id取得大一点,作为电流源gm/id取得小一点。
因为mos1,mos2皆作为放大器;顾取gmid=10;
2.计算gm12
首先从GBW入手,因为GBW=100MHZ,公式可得GBW=gm1/(2pi*Cc)
为了电路的稳定,一般来说:
Cc=(0.2~0.3)CL,因为CL=3pf,考虑到寄生电容的影响,Cc=1pf(暂定)
可以求得gm1=gm2=gbw*2pi*Cc=6.28*10^(-4)
3.跟据增益确定L的值
因为增益为80db,即10000倍,所以第一级与第二级每一级至少有100倍的增益。显然得
分别分析gm2(ro2llro4),和gm6(ro6llro7);因为
先分析Pmos1,选取gmid=10的线,选取增益大于150的线宽L;查图可知L=1.2u的时候,增益为182符合要求
因为知道了gm/id=10;可以推得id=gm/10=6.28*10^(-4)/12=63 ua;
因为相位裕度要求压摆率≥30v/us;所以( IDS5 / Cc )和IDS7/(Cc+CL)都要≥30us
所以一级电流Ids5≥50us/s;二级电流Ids7≥120ua/s;所以63ua符合要求
粉色为之前确定的L=1.2u;可以得到id/w=862 mA;可以得到w1=id/683mA=73u;
确定了MOS1和MOS2的尺寸为73/1.2u;MOS5尺寸为146/1.2u
下一步确定MOS2和MOS3的尺寸;
按理说MOS2和MOS3作为电流源负载,gm/id取得小一点,本文为了方便计算,也取10
MOS2和MOS3为NMOS管,此处mos2和mos3的L参数影响不大(相对独立),我们可以假设L=1.2u;注意此处不需要考虑nmos本征增益,做电流负载用。
继续在Y→id/w ; X→gm/id的图里确定W的值
在gm/id=10;l=1.2u可以确定;id/w=3.65 可以得到w=50/2.97=17.2
所以确定了MOS3和MOS4的值,MOS3=MOS4 W/L=17.2/1.2u;
4.直流仿真,确定M6尺寸
对一级放大电路的直流仿真目的在于确定MOS4的Vgs的值;mos4和mos6的vgs是一样的,可以确定mos6的参数
如下图直流仿真可知;vgs4=632mA;
同时一级放大电路增益为40db,满足刚开始一级放大电路为100的假设.
仿真NMOS的VGS和gm/id曲线图;可得
L=1.4U;VGS=683mA的基础上,gm/id=9.17,
观察selfgain,AV=314.满足要求
5.根据第二极点位置确定二级电流和M7尺寸
题目要求相位裕度大于等于60°;即第二极点的位置 fnd2 ≈ 2.2gbw(已经考虑寄生电容影响)
可以得到gm6/2piCL=2.2GBW;
gm6=2pi*CL*2.2GBW= 4.14*10^-3,
gm6/id=9.175推得id=gm6/9.175=452uA
确定了mos6的gm/id的值,id/w=3.79;可得w6=120/1.4 u
假设为450ua;因为mos5管宽长比为146/1.2u;电流比ids5/ids7=126/450=0.28;
所以mos7尺寸为 (146/0.28=520/1.2u);电流镜等比例放大
6.根据电流镜确定偏置电路尺寸
假设电流源提供电流为10ua;因为第一级电路为130ua;所以可得
mos8=mos9=(146/13)/1.2=11.2/1.2
mos10=mos11={17.2/6.5}/1.2=2.6/1.2
m13=mos10=2.6/1.2;m12=4m13=1.4/1.2(共源共栅 Widlar电流镜,推导可以参考复旦手算教程);
gm13/1d=12;gm13=1.2*(10^-4); RB=8.3K;
7.最后计算调零电阻
根据复旦教程可知,
对此所有的尺寸都得到了(W/L)14=(W/L)6/6.5=18/1.4
8.进行电路调试阶段
幅度和相位调试
一级已经有了40db幅度,二级幅度放大倍数明显不正常
发现此处mos管进入线性区, 说明M6管VOD过高,将M6 120/1.4u 提高到 130 /1.4 u ;目前还没想清楚为什么提高w,会降低他的vds
重新仿真一下得
重新进行仿真得到,GBW为85Mhz,有图像可以看到误差十分小了,微调零点应该就可以了
将(18/1.4)调为(14/1.4);GBW符合要求
仿真相位裕度来看,41°,与60°有些差距,选择 Cc 的大小。与 Cc 相关的是单位增益带宽、输入积分噪声、z1位置和压摆率。 Cc 增大大有几个好处,增强极点分裂功能,降低输入积分噪声,降低第二级功耗, 提高相位裕度,但缺点是降低了 GBW 和压摆率。
于是将补偿电容的值提高到1.8PF
压摆率调试
满足压摆率要求
对此已经完成了电路基本的分析与设计,CMRR,电源抑制比以及噪声仿真有时间会补充上去的
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