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品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 200V 19A TO-220

详细描述：通孔 N 沟道 200V 19A(Tc) 139W(Tc) TO-220-3

制造商：ON Semiconductor

系列：QFET®

包装：管件

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)：200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)：19A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On，最小 Rds On)：10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On(最大值)：170 毫欧 @ 9.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)：53nC @ 10V

Vgs(最大值)：±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)：1080pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散(最大值)：139W(Tc)

工作温度：-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220-3

封装/外壳：TO-220-3

标准包装：1,000

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL)：1(无限)

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