CMOS 集成电路设计手册 （基础篇）--学习笔记 第二章
cmos 中的阱是进行cmos集成电路的基本部分，通常是在晶圆（衬底）上进行掺杂扩散。掺入5价磷的为n阱，3价硼的为p阱；n阱的多数载流子为电子，p阱的多数载流子为空穴。
寄生二极管
在最基本的n阱和p衬底之间形成的二极管为寄生二极管，同理，在进行基本的反向器制作中，会有寄生三极管的问题。
n阱用作电阻
电阻的阻值与电阻材料的电阻率和电阻尺寸有关。n阱的设计规则：n阱自身的尺寸、多个n阱之间的间距。
p型衬底上的n阱形成的二极管的DC特性，即为二极管的伏安特性方程；具体通过PN结的物理学特性、载流子浓度、费米能级、耗尽层电容、存储或扩散电容等量化引出了n阱二极管的寄生电容和寄生电阻。进一步讲述了该二极管在形成的RC寄生电路，其中对脉冲输入信号的上升和延迟时间进行了量化求解。
为了减轻过度掺杂效应，讲述了双阱工艺，给出了阱的设计规则和对应的SEM图。
通过第二章的学习了解了CMOS的基本制造要注意微小粒子数量级的阈度，比如单位si原子的数量为5*10的22次方（cm3），本征硅里的载流子数量为1.45*10的10次方（cm3）。大约10的12次方的si原子中才会有一个电子空穴对。对于掺杂的时候，掺杂的数量级是10的18次方个原子。打破原有的思维惯性，对于粒子的数量级要有一个分级的概念。
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