《炬丰科技-半导体工艺》纳米柱 GaN-LED的制备
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》
文章:纳米柱 GaN-LED的制备
编号:JFKJ-21-314
作者:炬丰科技
摘 要
Ⅲ-Ⅴ族氮化物发光二极管因具有寿命长、尺寸小、高效、节能等优点,得到广泛的研究与应用。随着光通信、万物互联等领域的进一步发展,需要开发高质量的微纳光源和微纳光波导。纳米柱氮化镓发光二级管(GaN-LED)是一种重要的微纳光源,具有广阔的应用前景。另 一 方 面,作为应用最广的硅半导体材料本身并不是直接半导体,发光效率低下而不能作为光源使用。
关键词 氮化镓;分子束外延;纳米柱;发光二级管;微纳加工;光谱分析
引言
氮化镓(GaN)作为Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料中的重要成员,具 有 热 导 率 高、耐 高 温、耐 酸 碱、高硬度等优良的光学和电学性能。通过改变不同含量的In,Ga和 Al的氮 化 物 具有从0.63~6.2eV 的连续禁带宽度,可以用来制备紫外、可见光以及光通信用发光器件。
实验部分
实验 所 用 GaN 纳米柱利用射频分子 束外延设备 (RF- MBE,Riber32)沉积而成。在生长之前,首先利用 RCA 标准 工艺对Si基板进行清洗。Si基底表面上附着有机物,需要对 Si衬底进行 清 洗。
结果与讨论
图2是扫描电 子 显 微 镜(SEM)下 GaN 基 纳 米 柱 的 表 面 和侧面的照片。
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