《炬丰科技-半导体工艺》GaN 蓝绿光激光器的发展
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：GaN 蓝绿光激光器的发展
编号：JFKJ-21-313
作者：炬丰科技
摘要
氮化镓( GaN) 基蓝光和绿光激光器在投影显示、激光加工、激光照明、存储等领域，其具有重要的应用前与广泛的市场需求。本文着重介绍了 GaN 基蓝光和绿光边发射激光器的技术难点和相应的解决方案。在 GaN 基蓝光与绿光 激光器中，就制备高质量 InGaN/GaN 多量子阱、减少内部光学损耗、增加空穴注入效率等方面分别介绍了一些结构与工艺方面的优化方法。简要介绍了垂直腔面发射激光器( VCSEL) 、分布式反馈激光器( DFB) 的研究现状。
关键词: 半导体激光器; 氮化镓; 热退化; In 偏析; 内部光学损耗; 载流子注入效率
引言
半导体激光器是应用受激辐射原理的半导体发光器件，在驱动半导体激光器的电流大于阈值电流时，激光器发生激射，此时从激光器腔面出射的光是具有极佳单色性的激光。激光具有光谱半宽窄、光功率密度高、空间相关性好等特点，应用领域十分广泛。
边发射型 GaN 基蓝绿光激光器
GaN 基蓝绿光激光器所面临的问题 GaN 基蓝绿光激光器所面临的问题目前主要集中在四个方面，分别是如何制备高质量 InGaN/GaN 多量 子阱( MQWs) 、如何减少内部光学损耗、如何增加空穴注入效率以及如何有效消除量子限制斯塔克效应 ( QCSE) 带来的影响。
GaN 基垂直腔面发射激光器( VCSEL) 略
分布反馈激光器( DFB) 略
结论 略
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