《炬丰科技-半导体工艺》等离子体的微纳米制造

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：等离子体的微纳米制造

编号：JFKJ-21-464

作者：炬丰科技

摘要

自信息时代到来以来，不断缩小和降低半导体产品成本的需求日益增长。为了满足这一需求，已经做了大量的研究来改进我们当前的微/纳米制造工艺并开发下一代半导体制造技术。高通量、低成本、更小的特征、高重复性和制造过程的简化都是研究人员不断追求的目标。不仅利用高能表面等离子体在硅衬底上形成有序的金纳米粒子，还有一种利用表面等离子体的低成本光刻技术。

最常用的光刻技术是光刻略

等离子体纳米光刻略

等离子透镜略

金纳米粒子的形成略

进行了九个不同的实验，包括短脉冲束和长脉冲束，每个装置都进行了多次试验。表1列出了每个装置的具体实验参数。这九个实验的结果描述如下。

硅衬底上金纳米粒子的尺寸分布

结论

将等离子体激元用于微纳制造有能力彻底改变半导体工业。在第二章中，讨论了一种通过光学等离子体天线产生宽阵列半周期金纳米粒子的方法。在这项技术中，金/氧化铝纳米孔光学天线可以使用1064纳米钕:钇铝石榴石激光系统照射，将半周期金纳米粒子沉积在任何平坦基底的表面上。所讨论的方法显示出作为文献中其他纳米粒子形成技术的低成本、简单、低能量和环境友好的替代物的巨大潜力。第四章讨论了一种能够产生λ/3数量级特征的低成本等离子体纳米光刻光掩模。该技术利用氧化铝的介电特性和铝在紫外波长下产生表面等离子体激元效应的能力。氧化铝中的周期性纳米孔阵列允许在铝膜的表面上形成局部表面等离子体，并暴露光致抗蚀剂中没有等离子体效应就不能再现的特征。

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