ddr2的上电顺序_DDR2布线规则
DDR2
布线规则
1.
信号分类
l
Data Group:
MDQS/MDQS_N
，
MDM
，
MDQ
，
MECC
l
Address/CMD Group:
MBA
，
MA
，
MRAS_N
，
MCAS_N
，
MWE_N
l
Control Group:
MCS_N
，
MCKE
，
MODT
l
Clock Group:
MCK
，
MCK_N
2.
数据通道
(
假定数据宽度为
32bit)
Byte lane0:
MDQ[7..0]
MDM0
MDQS0
MDQS0_N
Byte lane1:
MDQ[15..8]
MDM1
MDQS1
MDQS1_N
Byte lane2:
MDQ[23..16]
MDM2
MDQS2
MDQS2_N
Byte lane3:
MDQ[31..24]
MDM3
MDQS3
MDQS3_N
3.
布线顺序
(
仅工参考，用处不大
)
：
l
Data
l
Address/Command
l
Control
l
Clock
l
Power
4.
DDR2
数据信号类
(
假定
DDR2
线宽
5mil)
l
单端阻抗：
50R~60R(MDQ MDM)
l
差分阻抗：
100R~120R(MDQS MDQS_N)
l
与
DDR2
线间距离
>10mil (DIMM
内存条内部可减小到
7mil)
l
与非
DDR2
信号线间的距离
> 25mil
l
蛇形走线要确保线间距离
>25mil
l
对所有的数据通道而言，长度差控制在
500mil
以内
l
针对每个数据通道来说，数据线长度与其对应的
MDQS
差分对控制在
20mil
以内
l
MDQS/MDQS_N
间的长度差控制在
10mil
以内
l
MDQS/MDQS_N
避免与噪声信号或时钟信号相邻走线
l
MDQS/MDQS_N
与其对应的数据信号线走在同一层
5.
DDR2
地址
/
命令信号类
(
假定
DDR2
线宽
5mil)
l
单端阻抗：
50R~60R
l
所有走线的长度差控制在
100mil
以内
l
参考平面为
1.8V
电源层或者是地信号层
(
最好是地
)
l
与非
DDR2
地址
/
命令信号线间的距离
> 25mil
l
DDR2
地址
/
命令线间距离应大于
10mil
6.
DDR2
控制信号类
l
单端阻抗：
50R~60R
l
所有走线的长度差控制在
100mil
以内
l
参考平面为
1.8V
电源层或者是地信号层
(
最好是地
)
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