代码

MOS器件结构

go atlas#定义网格
#二维非均匀网格
mesh
x.m l=0.0   spacing=0.3
x.m l=0.5   spacing=0.018
x.m l=2.5   spacing=0.018
x.m l=3     spacing=0.3
y.m l=-0.02 spacing=0.01
y.m l=0.0   spacing=0.01
y.m l=0.3   spacing=0.06
y.m l=1.0   spacing=0.2#定义材料
region num=1 y.min=0   silicon
region num=2 y.max=0.0 oxide#定义电极
elect num=1 name=gate   x.min=0.5 length=2   y.min=-0.02 y.max=-0.02
elect num=2 name=source left      length=0.5 y.min=0.0   y.max=0.0
elect num=3 name=drain  right     length=0.5 y.min=0.0   y.max=0.0
elect num=4 name=substrate substrate#定义掺杂
doping uniform p.type conc=2.e16
doping uniform n.type conc=1.e20 x.max=0.5 y.max=0.2
doping uniform n.type conc=1.e20 x.min=2.5 y.max=0.2

不同沟道状态

#模型定义
#迁移率模型（ cvt）、复合模型
models cvt srh print#电极接触类型
#多晶硅栅（自对准效应）
contact name=gate n.poly#界面电荷
#SiO2和Si的接触是不理想的，存在界面态，固定的界面电荷
interface qf=3e10
method newton#求解初始状态
solve init
#求解漏电压=10V的情况
solve vdrain=10
#存储结果
log outf=nmos1_1.logsolve vgate=0 vstep=0.25 vfinal=5.0 name=gate
save outf=nmos1_1.strquit

仿真

对于硅基器件，

Vd=10V，Vg=5V，绝大部分器件，处于反型。

夹断，处于饱和状态。

器件结构

分布情况

查看其他分布情况

右键->display

电场分布情况

载流子分布情况

电流

cutline做切线看物理量分布

tools->cutline

选择人为设置坐标，create

可以看到沟道及其附近电子浓度

看到沟道夹断的情况

参考：

最简单的MOSFET仿真

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