硬件工程师招聘应届生一般会考察什么，有什么要求，全面解析

本轮继续解析硬件岗的笔试题，来自CVTE的1道简答题、紫光展锐的3道选择题，涉及的知识点有：二极管电路分析、三极管与MOS管的区别等。

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正文开始：

21.如图所示的电路，VI为理想电压源，Vi为噪声电压源，RIN为电源内阻，vD表示齐纳二极管两端电压，该齐纳二极管V-I特性曲线如图所示，RL为负载，VO和vo分别为负载上的理想输出电压和噪声电压，假定VI=10V，vi=50mV，RIN=1kΩ

1）分别计算RL=2kΩ和RL=4kΩ时的VO和VO，并列出VO和RL之间的关系式；

2）简述齐纳二极管在电路中的作用

解析：

本题考察了齐纳二极管（稳压管）的用法以及相关的简单计算。首先从第二问开始解析，齐纳二极管一般反并联在负载两端，当负载电压超过齐纳二极管的反向击穿电压时，齐纳二极管击穿，此时进入反向击穿区。利用其在反向击穿区“电流增加时电压基本不变”的特性，将负载电压稳定在其击穿电压处。

结合原理图和齐纳二极管伏安特性曲线分析来看，当RL电压增加到5V以上时，齐纳二极管反向击穿，使得负载电压稳定在5V。

再来看第一问。第一问只要求理想输出电压，那么可以将噪声电压直接变为0V来分析（电路课本中的叠加定理）。当RL=2kohm时，先将齐纳二极管从电路中去掉，根据下面的电阻分压公式可以计算出VO：

VO = 10 x 2k/2k+1k = 6.67V

6.67V大于5V，因此齐纳二极管反向击穿，负载电压稳定在5V, VO = 5V。

同样的原理，先计算出RL=4kohm时无齐纳二极管的VO：

VO = 10 x 4k/4k+1k = 8V，8V > 5V,所以此时VO = 5V

根据上面的计算和分析，可以知道这个关系式其实有两部分：齐纳二极管没有反向击穿时、齐纳二极管反向击穿时。关系式的确立需要找到临界条件，即VO = 5V。根据电阻分压定理可以知道，在RL = 1kohm时，VO = 5V，所以关系式如下面所示：

VO = 10V x RL/(RL+RIN), RL

VO = 5V, RL > 1kohm

以上就是CVTE的整套题目的解析了。接下来，我们继续解析紫光展锐硬件笔试题。大家会发现，CVTE笔试的很多知识点会在紫光展锐的这一套题中再次出现，说明这些反复出现的考点就是需要求职者必须掌握的最基础的知识。

1.稳压管通常工作在：（单选）

A．正向导通状态

B．反向导通状态

解析：本题答案为B。具体原因已经在上面的简答题中进行过分析了，同时达尔闻此前解析的题目中也有关于稳压管的题目，对稳压管的使用仍有疑惑的同学可以翻阅之前的题目进行练习。

2. BJT在工作时，Vbe = 0.7V和Vbc < 0V,该晶体管工作在_状态（单选）

A．截止

B．放大

C．临界饱和

D．饱和

解析：由于没有说是什么类型的BJT，先用NPN来分析。BJT进入放大区的条件有两个：发射结正偏，集电结反偏。对NPN管来说，就是Vbe > 0.7V,Vbc < 0V。题目中的条件是Vbe = 0.7V,处于临界状态，因此选C临界饱和。

再用PNP来分析。如果是PNP管，一般是Ve电压大于Vb电压，Vb电压大于Vc电压，即Vbe < 0, Vbc > 0,题目中的这种情况一般不会出现，又因为这是道单选题，所以不予考虑。

3.三极管与MOS管的描述正确的是（单选）

A．三极管是电流控制型，MOS管是电压控制型

B．三极管是电压控制型，MOS管是电流控制型

C．三极管是电压控制型，MOS管是电压控制型

D．三极管是电流控制型，MOS管是电流控制型

解析：本题答案为A

又是熟悉的三极管与MOS管对比，在上一套题里已经有所解析，这里再次复习一下。三极管最核心的公式是 Ic = (beta)* Ib，其中beta指三极管本身的电流放大系数，这也就说明了三极管的工作是通过控制基极电流Ib从而控制流过集电极的电流Ic，所以三极管是电流控制型。

MOS管的导通控制主要依靠gs电压，以NMOS为例，当gs两端电压大于门槛电压，即Vgs>Vgs(th)时，ds导通沟道开始形成。在不损坏MOS的前提下，Vgs越高，导通沟道越宽，导通电阻越小。因此MOS管是电压控制型。答案选A。

这类关于三极管和MOS管对比的题目在各个厂家的笔试中已经算是必考了，所以对于这两种器件的特性要有一个清晰的认识。

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