S3C6410的DRAM控制器
作者:ARM-WinCE
我们在项目中更换了DRAM,所以需要重新配置S3C6410的DRAM控制器,结果发现S3C6410中的DRAM控制器还是挺复杂的。
S3C6410支持两个DRAM片选,可以分别接最大256MB的内存,该处理器用的DRAM控制器是来自ARM的PrimeCell Dynamic Memory Controller(PL340)。只看S3C6410的Datasheet中的DRAM部分介绍是不够的,你还需要看PL340的技术参考文档,这个文档网上搜索一下就有了。想完全了解6410的DRAM控制器,必须两篇文档都看。我都看了,虽然没完全了解,但是比看6410的datasheet要强多了。
我用的是mobile DDR-SDRAM,所以在这里大概介绍一下寄存器及配置流程。先介绍一下寄存器:
1. DRAM Controller Status Register (Address: 0x7E001000)
DRAM状态寄存器,这是一个RO寄存器,用于读取DRAM的状态。
Name |
Bit |
Description |
Memory chips |
[8:7] |
01=2 chips |
Memory type |
[6:4] |
100=MSDR, SDR, MDDR and DDR |
Memory width |
[3:2] |
00=16-bit 01=32-bit |
Controller Status |
[1:0] |
00=config 01=ready 10=paused 11=low-power |
实际上,读到的有用信息就是Controller Status和Memory width。
2. DRAM Controller Command Register (Address: 0x7E001004)
DRAM命令寄存器,设置DRAM的工作状态。
Name |
Bit |
Description |
Memc_cmd |
[2:0] |
000=Go 001=Sleep 010=Wakeup 011=Pause 100=Configure |
最开始应该配置为0x4,是处于Configure状态。在配置完所有的DRAM之后,将该寄存器设置为0x0,处于运行状态。
3. Direct Command Register (Address: 0x7E001008)
DRAM命令寄存器,用于发送命令到DRAM和访问DRAM中的MRS和EMRS寄存器。
Name |
Bit |
Description |
Extended memory command |
[22] |
扩展命令,该bit用于连接下面的Memory command[19:18],从而组成DRAM命令 |
Chip number |
[21:20] |
00=chip_0 01=chip_1 10=chip_2 11=chip_3 |
Memory command |
[19:18] |
和Extended Memory command组成DRAM命令字 000=PrechargeAll 001=Autorefresh 010=MRS/EMRS访问 011=NOP 100=Deep Power Down |
Bank address |
[17:16] |
访问MRS和EMRS的时候,映射为Bank地址位 |
Address_13_to_0 |
[13:0] |
访问MRS和EMRS的时候,映射为memory address[13:0] |
通过该寄存器初始化DRAM,先设置为NOP模式,然后设置为PrechargeAll进行充电,然后设置EMRS和MRS寄存器,一般是这么一个流程。具体的要参见你所使用的DRAM的datasheet。
4. Memory Configuration Register (Address: 0x7E00100C)
DRAM的配置寄存器,这个与需要参照你所使用的DRAM的datasheet。
Name |
Bit |
Description |
Memory burst |
[17:15] |
设置Burst大小 000=Burst 1 001=Burst 2 010=Burst4 011=Burst 8 100=Burst 16 |
Stop_mem_clock |
没有访问时,Memory Clock自动停止 |
|
Power_down_prd |
[21:20] |
自动掉电所需的时钟周期 |
AP bit |
[19:18] |
0=Address bit 10 1=Address bit 8 |
Row bits |
[17:16] |
行地址 000=11 bits 001=12 bits 010=13bits 011=14 bits 100=15bits 101=16bits |
Column bits |
[13:0] |
列地址 000=8 bits 001=9 bits 010=10 bits 011=11 bits 100=12 bits |
该寄存器肯定是要配的,看看DRAM的datasheet就知道了。
5. Refresh Period Register (Address: 0x7E001010)
DRAM的刷新频率寄存器,用于配置刷新频率的。
Name |
Bit |
Description |
Refresh period |
[14:0] |
多少个Memory的时钟周期 |
6. CAS Latency Register (Address: 0x7E001014)
DRAM的CAS延时寄存器,一定要配,参考DRAM的datasheet。
Name |
Bit |
Description |
CAS Latency |
[3:1] |
CAS延时多少个时钟周期 |
CAS half cycle |
[0] |
0=0周期偏移 1=半周期偏移 对于MDDR和SDR只能设置为0 |
7. t_dqss/t_mrd/t-ras/t_rc/t_rcd/t_rfc/t_rp/t_rrd/t_wr/t_wtr/t_xp/t_xsr/t_esr Registers (Address: 0x7E001018---0x7E001048)
DRAM操作中所需时间和延时寄存器,这里不作过多介绍,具体可以参考PL340文档。
8. Memory Configuration 2 Register (Address: 0x7E00104C)
DRAM的配置寄存器2。
Name |
Bit |
Description |
Read delay |
[12:11] |
读延时 00=0 cycle 01=1 cycle 10,11=2 cycle |
Memory type |
[10:8] |
DRAM类型 000=SDR 001=DDR 011=Mobile DDR |
Memory width |
[7:6] |
00=16 bits 01=32 bits |
cke_init |
[3] |
复位后,设置CKE输出的值 |
dqm_init |
[2] |
复位后,设置DQM输出的值 |
a_gt_m_sync |
[1] |
ACLK频率高于MCLK时,设置为1 |
Sync |
[0] |
ACLK和MCLK同步时,设置为1 |
9. CHIP_N_CFG Register (Address: 0x7E001200/0x7E001204)
DRAM的Chip配置寄存器,用于片选decoding设置
Name |
Bit |
Description |
BRC_RBC |
[16] |
DRAM结构 0=Row-Bank-Column 1=Bank-Row-Column |
Address match |
[15:8] |
片选地址比较值 |
Address mask |
[7:0] |
片选地址掩码 |
上面介绍了一些寄存器,还有一些寄存器由于没有用到,所以没有去了解。下面给一个DRAM初始化的例子:
WriteReg: 0x7e001004 0x4 //设置DRAM控制器状态为Configure
WriteReg: 0x7e001010 0x40d //设置DRAM的刷新周期
WriteReg: 0x7e001014 0x6 //设置CAS延时
WriteReg: 0x7e001018 0x3 //设置t_DQSS
WriteReg: 0x7e00101c 0xf //设置t_MRD
WriteReg: 0x7e001020 0xf //设置t_RAS
WriteReg: 0x7e001024 0xf //设置t_RC
WriteReg: 0x7e001028 0x1f //设置t_RCD
WriteReg: 0x7e00102c 0x21f //设置t_RFC
WriteReg: 0x7e001030 0xf //设置t_RP
WriteReg: 0x7e001034 0xf //设置t_RRD
WriteReg: 0x7e001038 0x7 //设置t_WR
WriteReg: 0x7e00103c 0x7 //设置t_WTR
WriteReg: 0x7e001040 0xf //设置t_XP
WriteReg: 0x7e001044 0x1f //设置t_XSR
WriteReg: 0x7e001048 0x1f //设置t_ESR
WriteReg: 0x7e00100c 0x10012 //设置DRAM的Column, Row等属性
WriteReg: 0x7e00104c 0x0b45 //设置DRAM的buswidth,type等属性
WriteReg: 0x7e001200 0x150f8 //设置RBC以及片选属性
WriteReg: 0x7e001304 0x0 //设置DQS延时
WriteReg: 0x7e001008 0xc0000 //发送NOP命令到DRAM
WriteReg: 0x7e001008 0x0 //发送Precharge命令到DRAM
WriteReg: 0x7e001008 0x40000 //发送Autorefresh命令到DRAM
WriteReg: 0x7e001008 0x40000 //发送Autorefresh命令到DRAM
WriteReg: 0x7e001008 0xa0000 //设置DRAM的EMRS寄存器
WriteReg: 0x7e001008 0x80032 //设置DRAM的MRS寄存器
WriteReg: 0x7e001004 0x0 //设置DRAM控制器开始运行
关于DRAM控制器的配置要参见所使用的DRAM的Datasheet,了解DRAM的结构和初始化过程,才能正确配置。S3C6410的DRAM控制器比较复杂,有些寄存器也不是很理解,在ARM的PL340的文档中也没做太多解释。
我的建议就是能不换DRAM最好,换了也要尽量和S3C6410板上的DRAM相近。
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