半导体PN结的工作原理
金属导电原理
原子的构成结构示意图
从图中可以看出,一个原子由原子核和核外电子构成 ,而原子核由质子和中子构成。中子不带电,质子带正电,核外电子带负电,整个原子显中性。
一个原子的最外层电子树为8时最稳定,电子数小于<4,受原子核的约束力小,容易脱离原子核。
电子数>4,受原子核的约束力大,不容易脱落原子核。
很多金属原子最外层电子数小于4,容易丢失电子,这些电子成为自由移动的电子,在电场的作用下,会发生定向移动形成电流,这就是金属导电的原理。
半导体元素一般最外层电子数为4,这个时候就比较特殊,既不容易失去电子,也不容易得到电子。两个原子或者多个原子共同使用他们的最外层电子数,在理想状态下达到电子饱和的状态,通过共价键形成最外层8个电子的稳定结构。
这中结构不是绝对的稳定,当电子受到能量激发时,也会发生跃迁,成为移动的电子,在电场的作用下形成发生定向移动,形成电流。电子的移动产生了空穴,相邻的电子容易跳过去填补这个空穴,空穴的移动也会产生电流。
硅原子比较稳定,只能生成少数的自由电子和空穴。既不能像金属那样导电,也不能像绝缘体一点都不导电,因此我们称硅为半导体。
在半导体中通过参杂 三价硼元素可以增加空穴浓度。因为硼原子在和硅原子的最外层4个电子形成共价键时,缺少一个电子,会从临近的硅原子夺取一个电子,因此产生一个空穴。这种参杂三价元素去增加空穴的浓度的半导体,称之为P(Postive)型半导体。
在半导体中通过参杂 五价磷元素可以增加自由电子浓度。因为磷原子在和硅原子的最外层4个电子形成共价键时,会多出一个电子,每参杂一个磷原子,会产生一个自由移动的电子。这种参杂五价元素去增加自由电子浓度的半导体,成为N(Negaitve)型半导体。
在一块半导体的两边掺入不同元素,这块半导体一边是P型,一边是N型。在两者交汇处会形成一个特殊的界面,这个界面称为PN结。
空穴和自由电子会分别扩散到对方区域,并且与对方区域的自由电子和空穴在边界附近互相中和掉。从而在边界区域形成内建电场。
内建电场会阻止P区的空穴向N区扩散,同时也会阻止N区的电子向P区扩散,这个时候流过PN结的电流为0。PN结因此也具有单向导电性。
PN结两端加上正向电压,内建电场削弱,半导体呈现导电性;
PN结两端加上反向电压,内建电场增强,半导体呈现高阻特性,不导电;
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