NJR日清纺微理光R5445系列 单节锂电池保护芯片，内置驱动器高位Nch FET开关温度保护
NJR日清纺微理光R5445系列 单节锂电池保护芯片，内置驱动器高位Nch FET开关温度保护
产品名称：单节锂电池保护芯片
产品系列：R5445（新款）
代理品牌：NISSHINBO(日清纺微电子)，原日本理光微电子
产品封装：WLCSP-8-P4
热门标签：锂电池保护芯片，单节锂电池保护芯片，锂电保护芯片
R5445 系列
单节锂电池保护芯片，内置驱动器用于高位Nch FET开关且内置温度保护
R5445系列芯片是单节锂电池保护芯片，对过电压充电，欠电压放电，充电过电流，放电过电流，以及温度异常均有保护作用。此芯片能驱动外置高位Nch MOSFET开关，此芯片对电压，电流的检测精度非常高，并且能够防止0V电池再充电。
此外，本产品提供超低耗电的Standby Mode，当发现欠压放电，电压低于电路最低值时，会进入Standby Mode, 此时内部电路会停止工作。另外，使用CTL端子也可以强制芯片进入Standby Mode。
| 项目 | 消费 |
|---|---|
| 输入电压 | 1.5 V to 5.0 V (Maximum Rating: 6.5 V) |
| 元件数 | 1 |
| 电源电流 | Typ. 5.0 µA |
| 待机电流 | Max. 0.04 µA |
| 过充电检测电压 | 4.2 V to 4.6 V (0.005 V step) |
| 过充电检测电压精度 | ±10 mV (0°C ≤ Ta ≤ 50°C) |
| 过充电检测延迟时间 | 1024 ms / 2048 ms / 3072 ms / 4096 ms |
| 过放电检测电压 | 2.0 V to 3.4 V (0.005 V step) |
| 过放电检测电压精度 | ±2.0% |
| 过放电检测延迟时间 | 16 ms / 32 ms / 128 ms |
| 放电过电流检测电压 | 0.015 V to 0.150 V (0.001 V step) |
| 放电过电流检测电压精度 | 0.015 V to 0.030 V: ±3mV0.031 V to 0.050 V: ±10%0.051 V to 0.150 V: ±5mV |
| 放电过电流检测延迟时间 | 32 ms / 128 ms / 256 ms / 512 ms / 1024 ms |
| 充电过电流检测电压 | −0.150 V to −0.015 V (0.001 V step) |
| 充电过电流检测电压精度 | −0.150 V to −0.041 V: ±8mV−0.040 V to −0.021 V: ±20%−0.020 V to −0.015 V: ±4mV |
| 充电过电流检测延迟时间 | 8 ms |
| 短路检测电压 | 0.040 V to 0.200 V (0.005V step) |
| 短路检测电压精度 | ±5 mV |
| 检测延迟时间短 | 280 µs |
| 恢复过充的条件 | Latch |
| 恢复过放电的条件 | Latch |
| 封装 | WLCSP-8-P4 |
| 0 V Battery Charging | Inhibition |
| Current Sense | Resistor / FET |
| Thermal Protection | Charge and Discharge Current |
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