《炬丰科技-半导体工艺》氮化镓的制备与表征
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：氮化镓的制备与表征
编号：JFKJ-21-303
作者：炬丰科技
摘要
为提升硅衬底氮化镓基 LED（发光二极管）器件的光电性能和出光效率，本文提出了一种利用背后工艺实现的悬空薄膜蓝光 LED 器件。结合光刻工艺、深反应离子刻蚀和电感耦合等离子体反应离子刻蚀的背后工艺。
引言
氮化镓 (GaN) 作为Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材 料中的重要组成部分， 具有直接带隙易发光、热导率高、耐高温、耐酸碱、硬度高等优良的光电和机械性能[。通过改变氮化物中 In, Ga 和 Al 的含 量，可以覆盖 0.63~6.2 eV 的连续禁带宽度。
完全悬空超薄硅衬底氮化镓基 LED 器件的制备及形貌表征
完全悬空超薄硅衬底氮化镓基LED 器件的电学特性表征及仿真分析
图 5 为利用半导体分析仪测得的不同结构不同尺寸的 LED 器件的 I-V（电流-电压）曲线。
曲线
完全悬空超薄硅衬底氮化镓基 LED 器件的光学特性表征
图 7（彩图见期刊电子版）为发光区直径为120 μm 的不同结构的 LED 器件在刚好到达开启电压的情况下的发光情况。图 7（a）为发光区直径为 120 μm 的普通 LED 器件在开启电压下的发光情况。
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