《炬丰科技-半导体工艺》 双异质结双极晶体管的加速振荡
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章： 双异质结双极晶体管的加速振荡
编号：JFKJ-21-1161
四元基极双异质结双极晶体管(DHBT)有大于截止频率的最大振荡(fMAX)，通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长四元碱由分级砷化镓铟锑化物组成。向砷化镓中加入铟可以改善电子传输特性，如迁移率和薄层电阻。GaAsSb的导带有两种类型的波谷——一种在零波矢(点)上，另一种在晶体结构的“l”方向上。电子可以被捕获在左旋谷中，从而降低性能。考虑到DHBT更高的带宽结构，性能改进机制是减少盖纳萨布基地的L谷人口，以及相关的更容易收集到InP中。
认为该器件有望在亚毫米波射频集成电路应用中实现高线性度、高效率放大。
在2英寸半绝缘磷化铟上进行金属有机化学气相沉积(表1)。碳©用于基区的p掺杂，通过恒定的四溴化碳前体通量实现。GainAsSb组合物的分级导致了car- bon吸收的变化，随着In含量的增加而降低，给出了在3.1x1019/cm3和8.1x1019/cm3之间的线性浓度分级。
该器件设计为发射极和基极之间的ⅰ型对准以及基极和集电极之间的ⅱ型对准。ⅱ型排列避免了阻挡电子流入收集器。排列类型ⅰ和ⅱ描述了不同材料成分之间异质结处的导带和价带如何变化。在第一类比对中，两个条带的方向相反，而在第二类比对中，条带的方向相同。分布式哈希表是在使用发射极和基极接触作为蚀刻掩模的自对准三台面工艺中制造的。发射极和基极接触分别由钛/铂/金和钯/镍/铂/金组成。蚀刻包括干法和湿法。原子层氧化铝的沉积用于发射极侧壁和非本征基极表面的钝化。
集电极台面是使用湿法蚀刻生产的。集电极台面的底切降低了外部基极-集电极电容。探针焊盘是通过金属蒸发和基于聚四氟乙烯的低温回蚀和平面化工艺制造的。与更传统的苯并-氯丁烯(BCB)聚合物相比，聚四氟乙烯具有更低的介电常数(1.9比2.7)，通过降低对位电容，允许更高速的信号传输和切换。测试了一个发射面积为0.3 mx3.5 m的设备。基极和集电极电流理想值分别为1.78和1.04。峰值共发射极电流增益为16。等离子蚀刻损伤降低了增益。仅用湿法蚀刻制造的较大器件获得高达32的增益。当集电极电流密度为1kA/cm2 (0.01mA/ m2)时，共发射极击穿发生在5.1V。70mV的失调电压被描述为“非常低”。
高达50千兆赫的射频测量给出了外推最大振荡(fMAX)和截止频率(fT)，分别为784千兆赫和547千兆赫(图1)。集电极-发射极电压偏置点(VCE)为1.0V，集电极电流为9.1mA/ m2。标准去嵌入提供816GHz fMAX和552GHz fT。基于砷化镓的分子束外延器件已经实现了670千兆赫/185千兆赫的fT/fMAX性能。金属有机化学气相沉积分级基底分布式哈希表具有时钟高达513千兆赫/637千兆赫。
图1短路电流增益(|h21|2)和梅森单边增益(U)在0.2千兆赫和50千兆赫之间测量。1.0V VCE时，fT和fMAX对集电极电流的嵌入依赖性。从射频测量中提取的总基极电阻总计为RB = 25.3，2.8的接触贡献对应于0.31- m2的基极接触电阻。因此，在本装置中，fMAX受到基片电阻的限制。
图3输出功率密度与其他作品的比较。固体点晶片测试；积分球中的空心点大尺寸发光二极管。还显示了积分球中KAUST值的估计。通过将器件与生长晶圆分离，这一比例最多可提高50%。在CIE 1931和1976图表上绘制了他们的RGB设备性能（图4 (a)–©蓝、绿和红10x10发光二极管阵列在20A/cm2下的电致发光图像。(d) CIE 1931和(e) CIE 1976图表，蓝色、绿色和红色10x10阵列，20和50A/cm2，以及Rec.2020）。在20A/cm2时，在CIE 1931和1976图表中，KAUST器件覆盖了Rec.2020颜色空间的81.5%和76.2%。在50A/cm2时，相应的数字为81.3%和79.1%。这些数字可以通过使用波长更接近Rec.2020规范的蓝色发光二极管来改善。这种材料已经商业化。
《炬丰科技-半导体工艺》 双异质结双极晶体管的加速振荡相关推荐
- 《炬丰科技-半导体工艺》磷化铟晶片的研磨减薄
书籍:<炬丰科技-半导体工艺> 文章:磷化铟晶片的研磨减薄 编号:JFKJ-21-680 作者:炬丰科技 摘要 InP晶圆,尺寸为2英寸.通过杯型金刚石轮机械研磨,直径成功研磨至100m. ...
- 《炬丰科技-半导体工艺》ZnO多晶薄膜异质结
书籍:<炬丰科技-半导体工艺> 文章:ZnO多晶薄膜异质结 编号:JFKJ-21-642 作者:炬丰科技 关键词:氧化锌多晶薄膜:氧化锌/硅:氧化锌/磷化铟异质结:光电探测设备 摘要 通过 ...
- 《炬丰科技-半导体工艺》柠檬酸清洗液对金属表面污染物去除效果评价
书籍:<炬丰科技-半导体工艺> 文章:柠檬酸清洗液对金属表面污染物去除效果评价 编号:JFKJ-21-190 作者:炬丰科技 摘要: 我们研究了基于柠檬酸的清洗液来去除金属污染物硅片表面. ...
- 《炬丰科技-半导体工艺》半导体封装中金丝键合技术
书籍:<炬丰科技-半导体工艺> 文章:半导体封装中金丝键合技术 编号:JFKJ-21-602 作者:炬丰科技 热超声键合:金线键合:铜线键合:银线键合:半导体封装:纸型文献综述 摘要 本文 ...
- 《炬丰科技-半导体工艺》利用microLED显示技术缓解芯片间通信瓶颈
书籍:<炬丰科技-半导体工艺> 文章:自选择性化学镀 编号:JFKJ-21-1016 作者:炬丰科技 基于氮化镓的微透镜显示器产生的高速光发射器可以以更高的密度传输数据比铜更低的功率,带来 ...
- 《炬丰科技-半导体工艺》 硅光电子器件上的单片砷化铟量子点
书籍:<炬丰科技-半导体工艺> 文章:硅光电子器件上的单片砷化铟量子点 编号:JFKJ-21-1146 作者:华林科纳 单片集成的光电探测器和使用砷化铟的激光器硅上铟镓砷/铝镓砷阱/势垒有 ...
- 《炬丰科技-半导体工艺》 高频磷化铟芯片晶圆级背面加工
书籍:<炬丰科技-半导体工艺> 文章:高频磷化铟芯片晶圆级背面加工 编号:JFKJ-21-1145 作者:华林科纳 一直致力于减少磷化铟(InP)中的衬底共振和地面反弹效应,基于通过晶圆级 ...
- 《炬丰科技-半导体工艺》 自对准栅氧化镓金属氧化物半导体晶体管
书籍:<炬丰科技-半导体工艺> 文章: 自对准栅氧化镓金属氧化物半导体晶体管 编号:JFKJ-21-1176 作者:华林科纳 首次演示了自对准栅(SAG)β多型氧化镓(β-Ga2O3)金属 ...
- 《炬丰科技-半导体工艺》硅片湿法清洗技术
书籍:<炬丰科技-半导体工艺> 文章:硅片湿法清洗技术 编号:JFHL-21-1063 作者:炬丰科技 引言 以DRAM及CPU为代表的超大规模集成电路硅半导体器件,近年来成为个人电脑热潮 ...
最新文章
- Docker数据卷管理
- http://www.fx114.net/qa-24-116329.aspx
- IntelliJ IDEA2016.2 Eclipse(mac os x)常用推荐捷键手册
- struts2注解（转）
- Expert 诊断优化系列------------------透过等待看系统
- java 制作报表案例_javaweb项目报表案例
- pytorch 语义分割loss_vedaseg：基于pytorch的开源语义分割工具库，更多模型支持，更易拓展...
- Elasticsearch 的使用，看这一篇就够了！
- 大学本科 java教材,大学本科自学java之路——IO
- centos7下安装python3.7.0以上版本时报错ModuleNotFoundError: No module named ‘_ctypes‘的解决办法
- keras embeding设置初始值的两种方式
- 【转】文件各种上传，离不开的表单
- 在Winform中使用MoonPdfLib（Wpf控件）
- 使用python抓取分析链家网二手房数据
- 介绍一下xgb_珍藏版 | 20道XGBoost面试题，你会几个？(上篇)
- 使用vue-giant-tree根据id定位位置
- php限制选择图片数量,ImagePicker组件，限制选择图片数量上限（selectable={images.length 3} ）失败...
- 『 云原生·Docker』Docker存储
- 涂鸦模组开发光照传感器
- 快速加速计算机的方法,如何让电脑提速50%以上？这三招就够了！