本科毕业论文(理论研究)

题目：基于非线性Compton散射下光敏电阻性能分析

系 院：电子科学与工程系

学生姓名：张东

学 号：0406120211

专 业：电子科学与技术专业

年 级：04级

完成日期：5月20日

指导教师：郝东山教授

摘 要

本文将从半导体理论出发，运用电子与多光子非线性Compton散射模型，尝试在考虑康普顿效应的情况下对光敏电阻的工作原理作进一步的分析。分析表明，在强光照射的掺杂半导体，若入射光与半导体中的电子发生多光子非线性Compton散射，则半导体的电流密度和电导率不仅取决于载流子浓度和过剩载流子浓度，而且还与散射光的作用有关，Compton散射使电流密度和电导率增大。半导体的迁移率取决于载流子的散射机理，Compton散射使半导体的导电能力显著增强。

关键词：光电效应；康普顿效应；非线性Compton散射模型；光敏电阻

Abstract

This article from the semiconductor theory, using of electronic and multi-photon nonlinear Compton scattering model, try to consider the circumstances of photosensitive resistance of the working principle for further analysis. Analysis shows that the strong light of the doping semiconductors, semiconductor and if the incident occurred in the electronic multi-photon nonlinear Compton scattering, while the current density semiconductor and electrical conductivity depends not only on the carrier concentration and surplus carrier concentration, But also scattered light on the role, Compton scattering to increase current density and electrical conductivity. Semiconductor depends on the rate of migration of the carrier scattering mechanism, Compton scattering to the semiconductor conductive capability has been enhanced.

Key words：Photoelectric effect；Compton effect; nonlinear Compton scattering model；photosensitive resistance

1 引 言1

2从入射光子能量的大小来讨论光电效应与康普顿效应2

2.1能量较小的光子与束缚弱的电子的碰撞产生光电效应3

2.2能量较大的光子与自由电子碰撞产生康普顿效应4

3 多光子非线性Compton散射6

3.1 多光子非线性Compton散射模型6

3.2 多光子非线性Compton散射频率6

4 光敏电阻的性能分析7

4.1 工作原理7

4.2 理论分析7

5 结 论9

6 参考文献10

7 致 谢11

1 引 言

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