普通二极管伏安特性和肖特基二极管电压电流特性
普通二极管的伏安特性如下图:
1、普通二极管在电流流过时,会产生约0.7-1.7伏特的电压降,不过肖特基二极管的电压降只有0.15-0.45伏特,因此可以提升系统的效率。
2、肖特基二极管是利用金属-半导体接面作为肖特基势垒,以产生整流的效果,和普通二极管中由半导体-半导体接面产生的P-N接面不同。
3、肖特基势垒的特性使得肖特基二极管的导通电压降较低,而且可以提高切换的速度。
4、二极管由流过正向电流的导通状态,切换到不导通状态所需的时间。普通二极管的反向恢复时间大约是数百nS,若是高速二极管则会低于一百nS,肖特基二极管没有反向恢复时间,因此小信号的肖特基二极管切换时间约为数十pS,特殊的大容量肖特基二极管切换时间也才数十pS。由于普通二极管在反向恢复时间内会因反向电流而造成EMI噪声。肖特基二极管可以立即切换,没有反向恢复时间及反相电流的问题。
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。
下面为肖特基二极管:
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