基础晶体管放大电路设计七步走

以5倍放大电路例子，给出如图所示：

其中函数发生器参数给出为频率1kHz、振幅1V的正弦波。

确定电源电压
首先确定电源电压，为了输出5V左右的输出电压，应使用5V以上的电源电压。
其次发射极电阻Re（R2）上加最低电压为1 ~ 2V，为使集电极电流流动，电源最低为6 ~ 7V。
由此可选择易得电源15V。
选择晶体管
在追求最终性能（噪声大小和高频特性）的情况下，晶体管特性左右着电路性能，在此不作特殊要求的情况下，选择噪声较小的2SC2240。
确定发射极电流的工作点
晶体管的频率随发射极电流变化而产生很大变化，具体可查阅手册，一般来讲，特征频率最好的发射极电流与噪声特性最好的发射极电流是不同的。
此例子没有详细规定，取1mA便于计算。
确定Rc与Re的方法
放大倍数是由Rc和Re之比来决定的，令Rc:Re=5:1，为吸收基级—发射极电压Vbe随温度变化，使工作点稳定，Re的直流压降需要在1V以上（这里取Re压降为2V）。经过计算有Re=2kΩ、Rc=10kΩ。

顺便计算一下Vce和Pc，看集电极静态损耗Pc是否在最大额定值以下。

若Rc值太大或太小，可能会削去输出波形的下侧或者上侧，最好的办法是将Vc设定在Vcc与Ve的中点，本例没有刻意设计的必要。
基级偏置电路的设计
基级电位Vb=2+0.6=2.6V，基级电位是由R3和R4分压所得，若R4压降为2.6V，则R3压降为12.4V。
晶体管的基级电流为集电极电流的1/h_fe，算得基级电流为0.005mA。有必要在R3和R4流过比基级电流大得多的电流，使基级电流被忽略，在此取0.1mA，则R3=124KΩ、R4=26kΩ，在E24系统中选择比例相近电阻有R3=100kΩ、R4=22kΩ。
确定耦合电容C3和C4
C3与输入阻抗、C4与负载电阻分别形成高通滤波器，当C3和C4取值很小时，难以通过低频，在此取C3=C4=10μF。
放大电路的输入阻抗看作R3||R4，由此C1的截止频率算得为0.9Hz。而C2的截止频率通常与所接负载有关。
确定电源去耦电容C1和C2
去耦电容C1与C2很重要，缺失可能发生电路震荡。 因此需要一个小容量电容和大容量电容，小容量电容在高频情况下降低阻抗，如不靠近电路安置，则由引线本身阻抗使电源阻抗不为0；大容量电容远些一般没有问题。

设计完成！

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