IMBG120R090M1H D2Pak,IMW120R040M1H 1200V MOSFET特点

1、参数：IMBG120R090M1HXTMA1 （IMBG120R090M1H）
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：26A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：125 毫欧 @ 8.5A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 3.7mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：23 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+18V，-15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：763 pF @ 800 V
FET 功能：标准
功率耗散（最大值）：136W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TO263-7-12
封装/外壳：TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
基本产品编号：IMBG120

IMBG120R090M1H 采用D2PAK-7L (TO-263-7)封装的1200 V, 90 mΩ CoolSiCTM SiC MOSFET，它基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。它采用改良版1200V SMD封装，将CoolSiC技术的低功耗特性与.XT互联技术相结合，可在电机驱动、充电模块以及工业电源等应用中实现最高效率和被动制冷。

特点
极低的开关损耗
短路能力：3 µs
dV/dt完全可控
栅极阈值电压典型值：VGS(th) = 4.5 V
出色的抗寄生导通能力，能够实现0V关断
牢固的体二极管，可用于硬开关
.XT互联技术，实现一流的热性能
封装爬电距离和电气间隙 > 6.1 mm
Sense引脚，优化了开关性能

2、参数：IMW120R040M1H （IMW120R040M1HXKSA1）
FET 类型：N 通道
技术：SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）：1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：55A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：54.4 毫欧 @ 19.3A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5.2V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：39 nC @ 18 V
Vgs（最大值）：+20V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1620 nF @ 25 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：227W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO247-3
封装/外壳：TO-247-3

说明
IMW120R040M1H 采用TO247-3封装的1200V 40mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，CoolSiCTM 碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。

应用
光伏逆变器 ( (PV)
能力存储和电池充电
不间断电源 (UPS)
开关模式电源 (SMPS)
工业驱动器
医疗设备

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