PSMN4R8-100BSE MOSFET管 N-CH 100V D2PAK

PSMNxxx N 沟道 MOSFET 包括标准和逻辑电平、常规和增强模式、采用 LFPAK、I2PAK、TO-220 和 DFN3333-8 封装的 N 沟道 MOSFET，可耐受 150°C 或 175°C。PSMNxxx N 沟道 MOSFET 经设计并合格用于各种工业、通信和家用设备。
采用 LFPAK 封装的 Nexperia 逻辑电平增强模式 N 沟道 MOSFET 具有超低 QG、QGD 和 QOSS，可在低负载和高负载下实现高系统效率，以及超低 RDS(on) 和低寄生电感。它们还利用 NextPower 超级结技术针对 4.5V 栅极驱动进行了优化。
采用 I2PAK 和 TO-220 封装的 Nexperia 标准和逻辑电平 N 沟道 MOSFET 由于低开关和传导损耗而具有高效率，适用于标准或逻辑电平栅极驱动源。

特征
低开关和传导损耗带来高效率
适用于标准或逻辑电平栅极驱动源

应用
DC-DC转换器
锂离子电池保护
负载切换
电源 OR-ing
服务器电源
同步整流器
电机控制

PSMN4R8-100BSE MOSFET N-CH 100V D2PAK 场效应管
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.8 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：278 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：14400 pF @ 50 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：405W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：D2PAK
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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