常用EMC防护器件选型

一、压敏电阻(MOV

技术参数:压敏电压 工作电压 最大通流量 最大钳位电压(残压) 静态结电容

工作原理:压敏电阻相当于一个可变电阻,它是并联于电路中。 当电路正常工作时,它的阻抗很大,漏电流很小,相当于开路,对电路几乎没有影响。 但当一个很高的突波电压到来时,压敏电阻的电阻值瞬间下降,使它可以流过很大的电流,同时将电压钳位在一定数值。

选型方法:

1、确定应用电路正常工作电压和压敏电阻,一般情况压敏电压实际数值是电路最大直流工作电压的1.5倍,在交流状态下需考虑峰值,结果应扩大1.414倍

2、根据防护量级确定压敏电阻通流量

电源电路差模防护:由内阻决定(测试防护量级2Ω),通流量2倍

电源电路共模防护:由内阻决定(测试防护量级12Ω),通流量2倍

信号电路共模防护:由内阻决定(测试防护量级42Ω),需考虑结电容,通流量2倍

3、确定压敏电阻两端的结电容

电源电路:如果加在线线之间,可以不用关注,加在线对地之间共模防护,需考虑漏电流对产品影响,加保险丝。

信号电路:高速信号线上尽可能选择结电容小的器件

选型注意事项

1)  要求器件的最大通流量为理论计算通流量2倍以上,即Imax≥I工作*2

2)  若通流量不能满足使用要求时,将几只单个的压敏电阻并联使用,其通流量为个单只压敏电阻数值之和。要求并联电阻伏安特性尽量相同,以免分流不均损坏压敏电阻。

3)  压敏电阻在应用到电源电路之前必须加保险丝。

4)  压敏电阻用于电源口对地进行共模防护,需在线地之间增加保险丝,防止器件失效导致电源对地短路。

防护电路工作频率确定压敏电阻结电容:根据防护电路工作速率确定能够加在线路上的对地电容,一般对于信号接口线路需要考虑工作频率和结电容。

AC电源输入防护:压敏电阻同流量大,因此结电容比较大,用在交流电源口漏电流比较大,因此需要配合气体放电管使用。

二、瞬态电压抑制器(TVS

1.类似于普通的稳压管,是钳位型的干扰吸收器。

2.与被保护设备并联使用。其具有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的浪涌吸收能力。可用于保护设备或电路免受静电、电感性负载切换时产生的瞬态电压以及感应雷所产生的过电压。

3.选型方法

1)、根据保护电路工作电压,确定器件反向关断电压。

直流供电:Vrwm(反向关断电压)≥V工作  交流供电:Vrwm≥V工作*1.414

最大工作电压需按电源口特性测试要求最大值来选择(直流工作电压范围大,往高的选)。

2)、根据防护技术要求,确定TVS管钳位电压和功率参数。

最大钳位电压Vcmax≥(1.5-2.0)*Vrwm,一般反向关断电压和通流量Ipp确定后,TVS管需满足最小峰值功率Pw≥Vcmax*Ipp=(1.5-2.0)*Vrwm*Ipp。

3)、根据防护电路工作频率确定TVS管结电容。

4.选型要点

1  ) 反向关断电压≥保护电路最大工作电压(Vrwm>V工作)。

2  )TVS管的最大钳位电压一般为击穿电压的1.4倍左右。

3  ) 对于小电流负载的保护,可在线路中增加限流电阻。

4  )对于电源电路上应用TVS管选型除了需要注意选择通流量要有一定余量设计以外,还需考虑电源电路正常工作时的电压波动可能会导致TVS管误动作,在选型时反向关断电压的选择需大于电路的最大波动电压。

5  )TVS管通流量有限,所以TVS管一般情况下不单独用于电源口的浪涌防护设计。

6  )TVS管接地端应用在需要打绝缘耐压的机壳地(PGND)上,需满足绝缘耐压500AC的要求。

  1. TVS管应用

TVS管用于ESD防护:通常对外信号与电源接口都需要进行ESD防护设计,虽然静电电压比较高,但静电脉冲电流时间比较短,通常几十纳秒,因此对于防静电的TVS来讲,通常200w功率都可以满足15KV静电干扰。

TVS管用于芯片ESD保护:在信号接口进行浪涌或静电防护设计时,如果TVS的残压过高,导致芯片不能承受时,可以在TVS后信号上串联电阻进行分压,从而降低芯片上所得到的残压。

TVS管用于芯片保护:在信号接口进行浪涌防护设计时,如果TVS功率不够,可以采取前面加功率电阻分压限流,从而降低TVS管上所承受瞬态能量。

TVS管应用总结:

电源接口防护:DC电源浪涌、ESD防护

I/O接口防护:接口电源防护

敏感芯片防护:信号/电源ESD、浪涌防护

TVS防护器件PCB走线:防护器件靠近接口位置,走线需短

  1. 应用案例

DC电源接口防护(28V)

总之,对于压敏电阻对TVS管的选型与计算,需结合实例进行计算,多加练习,此处还未实践。

三、气体放电管(GDT)

1.工作原理:当外加电压增大到超过气体的绝缘强度时,两极间的间隙将放电击穿,由原来的绝缘状态转化为导电状态,导通后放电管两极之间的电压维持在放电弧道所决定的残压水平。为开关型过电压保护器件。正常的回路中处于高绝缘栅状态(GΩ级别)

2.技术参数:直流击穿电压  冲击击穿电压 耐冲击放电电流 绝缘电阻(大于1GΩ) 结电容(小于3pF) 误差范围(直流击穿电压+-20%)

3.选型

直流开启电压,冲击电压越低越好,GDT响应速度越快(应用端口的工作电压需高于直流开启电压的最小值)

A选型方法

1)根据电路工作电压确定直流击穿电压(V击穿>=(1.5~2)*V工作)

2)根据电路防护量级,去顶顶气体放电管的通流量(I实际>2*I额定)

3)根据电路工作频率,确定器件最大结电容

4)根据保护电路特性决定放电管的结构特点

5)耐压测试时,器件的直流击穿电压必须大于耐压测试电压

4.防护器件特性应用:MOV+GDT应用于电源端口

前级与后级间,必须增加退耦器件,且通流量由后级决定。

四、半导体放电管(TSS)

1.工作原理

TSS是一种PNP型器件,可以看作是一个没有门极的晶闸管。

2.选型方法

3.选型注意事项

4.应用于I/O接口防雷设计

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