IGBT/ MOSFET并联吸收电容:二阶电路零输入响应

转载:
https://www.sekorm.com/news/77072102.html
参考：
https://bbs.21dianyuan.com/thread-46157-1-1.html

并联的吸收电容一般都是uF级别，而IGBT/ MOSFET的寄生电容是pF级，数量级增大，根据链接中得出的结论，吸收电容有效抑制尖峰电压。

图片链接中的零输入响应公式亲自推算过，公式准确。

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