MOSFET米勒平台（Miller Plateau）
1、MOSFET寄生电容
Ciss = Cgs + Cgd
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
2、米勒平台
下图中t2~t3这段时间，VGS处于一个平台位置，这个平台称作米勒平台。
3、米勒平台仿真
与第2节中的图是有些不一样的：
- Vdd
- Id
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3.1、米勒电容Cgd对米勒平台的影响
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Cgd = 1nF，Cgs = 100nF
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米勒平台大概1us的时间：16~17us
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Cgd = 10nF，Cgs = 100nF
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米勒平台大概6us的时间：17~23us
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Cgd = 100nF，Cgs = 100nF
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米勒平台大概73us的时间：17~90us
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3.2、Cgs对米勒平台的影响
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Cgd = 1nF，Cgs = 100nF
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t1=16us，Vds电压被抬升至5.4V，米勒平台时间不变
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Cgd = 1nF，Cgs = 10nF
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t1=2.9us，Vds电压被抬升至6.2V（因为Vgs电压充电很快，Cgd带着Vds电压抬升），米勒平台时间不变
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3.3、驱动电流对米勒平台的影响
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米勒平台时间变小
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3.4、Cgd和Cgs的比例对米勒平台的影响
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Cgd = 1nF，Cgs = 10nF
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Cgd = 1nF，Cgs = 100nF
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Cgd = 1nF，Cgs = 1000nF
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看不到有米勒平台出现
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3.5、Id电流对米勒平台的影响
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参考
[1] Onsemi，Application Note，《MOSFET Basics》
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